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北京北信科遠(yuǎn)儀器有限責(zé)任公司
主營(yíng)產(chǎn)品： 搖擺式脫色搖床,實(shí)驗(yàn)室電子分析天平,一體涂層測(cè)厚儀 |
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2016-8-3 閱讀(746)
由正則角動(dòng)量守恒出發(fā)，可以依次得到電子經(jīng)過(guò)*、第二會(huì)切磁場(chǎng)后的角向速度vi、引導(dǎo)中心半徑rg及拉莫爾半徑rL.經(jīng)過(guò)第二會(huì)切磁場(chǎng)后的電子束參量咖在陰極處及*磁會(huì)切處的徑向位置。
由式（4）可以看出，要得到大回旋軌道電子束，只需令/1 =一/2即可。
電子經(jīng)過(guò)絕熱壓縮區(qū)，絕熱壓縮磁場(chǎng)從Bo緩慢變化到/mB（/m為絕熱壓縮磁場(chǎng)比例因子），由絕熱壓縮理論知電子磁矩保持不變及電子束環(huán)繞磁通保持不變，可以得到zui終電子束角向速度和引導(dǎo)中心半徑分別為電子束速度比為由此可以看出，電子束的速度比由會(huì)切磁場(chǎng)的比例因子/1和/2，絕熱壓縮磁場(chǎng)比例因子/m及電子在*磁會(huì)切時(shí)的徑向位置r1共同決定，這為雙磁會(huì)切電子槍橫縱速度比的調(diào)節(jié)提供了很大的自由度。
2雙磁會(huì)切電子槍的數(shù)值模擬與分析依據(jù)以上雙磁會(huì)切電子槍的理論模型，利用電子軌跡模擬程序EGUN對(duì)雙磁會(huì)切電子槍進(jìn)行數(shù)值模擬計(jì)算。同時(shí)根據(jù)模擬結(jié)果對(duì)一些影響大回旋電子束性能的參數(shù)進(jìn)行分析和討論。
2.1雙磁會(huì)切電子槍的數(shù)值模擬給出了在不同互作用磁場(chǎng)下，在徑向位置r=lcm處速度比與陰極磁場(chǎng)相互關(guān)系的理論計(jì)算結(jié)果，陽(yáng)極電壓取70kV.由式（7）可以看出，在一定的互作用磁場(chǎng)下，隨著陰極磁場(chǎng)的增加，該式分子項(xiàng)增加，同時(shí)分母相應(yīng)減小，從而電子束的速度比也隨著增加/旦當(dāng)陰極磁場(chǎng)增加到一定值，電子運(yùn)動(dòng)向心力與洛侖茲力失去平衡，電子束zui終發(fā)生反射。一般要求速度比在1以上，陰極磁場(chǎng)可以設(shè)定在0.為不同互作用磁場(chǎng)下速度比隨陰極半徑的變化關(guān)系，陽(yáng)極電壓仍取70kV，陰極磁場(chǎng)為0可以看出，當(dāng)陰極半徑超過(guò)一定范圍，陰極周?chē)妶?chǎng)發(fā)生變化，電子束速度比急劇增加。應(yīng)選擇陰極半徑在電子束的線性增長(zhǎng)部分，這里選取陰極半徑為10mm即可。根據(jù)電子槍設(shè)計(jì)要求及理論計(jì)算的電子槍參數(shù)如表1所示。
表1電子束的性能要求和計(jì)算參數(shù)將上述電子槍參數(shù)及工作磁場(chǎng)加入EGUN軟件進(jìn)行模擬，不斷調(diào)整優(yōu)化，得到了考慮空間電荷效應(yīng)后的雙磁會(huì)切電子槍的形狀和電子軌跡，如所示。
表2是電子軌跡收斂時(shí)得到的電子束的具體參量，可以看出，該雙磁會(huì)切電子槍產(chǎn)生的電子束已基本符合整管對(duì)電子束質(zhì)量的要求。北京富瑞恒創(chuàng)科技有限公司。
