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高性能IGBT提高太陽(yáng)能逆變器效率
專家估計(jì)，市場(chǎng)每年對(duì)逆變器的需求大約增長(zhǎng)30%；消費(fèi)者需要更便宜的電子設(shè)備，降低產(chǎn)品成本的一個(gè)重要途徑就是提高太陽(yáng)能逆變器的效率。絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）能夠幫助產(chǎn)品設(shè)計(jì)者應(yīng)對(duì)他們所面臨的設(shè)計(jì)具有更高電路效率和性能的產(chǎn)品的挑戰(zhàn)。這類器件也稱為電導(dǎo)調(diào)制場(chǎng)效應(yīng)晶體管（CMFET），是MOSFET的近親，主要在各種應(yīng)用中用作電源開關(guān)。這些電壓控制的器件在市場(chǎng)上隨處可見，在開關(guān)電源設(shè)備中采用合適的IGBT代替類似的MOSFET器件能夠提高能效，降低產(chǎn)品成本。
一些供應(yīng)商的產(chǎn)品及其廣泛應(yīng)用
例如，安森美半導(dǎo)體公司提供了將近20種不同型號(hào)的IGBT，用于電子汽車點(diǎn)火、燃料加注系統(tǒng)和其他一些需要控制高電流和高電壓開關(guān)的應(yīng)用。該公司的產(chǎn)品特點(diǎn)是廣泛采用集成ESD和過電壓保護(hù)的單片集成電路。英飛凌公司針對(duì)高頻電源開關(guān)應(yīng)用提供了幾款高速IGBT產(chǎn)品。該公司的TrenchStop IGBT 具有較低的飽和電壓、較高的溫度穩(wěn)定性和很低的傳導(dǎo)損耗，適用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用。這類晶體管的動(dòng)態(tài)開關(guān)特性降低了關(guān)斷過程的能量損耗，減少了電磁干擾。ST Microelectronics公司制造的條狀PowerMESH IGBT 適用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電子汽車點(diǎn)火、遮光器、高頻電子鎮(zhèn)流器、焊接設(shè)備、不間斷電源和家用電器等領(lǐng)域。這些300～1200V的晶體管具有很低的壓降，適用于更的產(chǎn)品設(shè)計(jì)。該公司的V系列IGBT瞄準(zhǔn)的是快速、高頻的應(yīng)用，提供了附帶和不帶續(xù)流二極管兩種配置。