本儀器運用了第四代集成電路設計、生產。儀器采用熱電法測量硅單晶型號，配置了可自動恒溫的熱探筆，并由液晶器件直接發(fā)顯示N、P型。對于電阻率小于1000Ω.cm的硅片、塊以準確地鑒定出導電型號。
適用范圍
適合檢測硅芯，檢磷棒，檢硼棒，籽晶等圓柱晶體硅
適用于西門子法、硅烷法等，生產多晶硅料的企業(yè)
適用于物理提純生產多晶硅料生產企業(yè)
適用于光伏拉晶鑄錠及 IC 半導體器件企業(yè)
適用于科研、高等院校及需要超大量程測量電阻率的企業(yè)
產品特點
儀器消除了珀爾帖效應、塞貝克效應、少子注入效應等負效應的影響，因此測試精度提高
測量精度高，除了具有厚度修正功能外、還有溫度修正、圓片直徑修正等功能
%特的設計能消除測量引線和接觸電阻產生的誤差，   測量的高精度和，寬的量程范圍
雙數(shù)字表結構使測量%，，操作%簡便
具有的測試數(shù)據(jù)查詢及打印功能
測量系統(tǒng)可實現(xiàn)自動換向測量、求平均值、，值、，值、平均百分變化率等
四探針頭采用進口紅寶石軸套導向結構，使探針的游移率減小，測量重復性提高
采用進口元器件，留有%大的，系數(shù)，提高了測試儀的，性和使用壽命
測量電流采用高度穩(wěn)定的恒流源（萬分之五精度），不受氣候條件的影響
具有正測反測的功能，，測試結果的準確性
具有抗強磁場和抗高頻設備的性能
，參數(shù)
測量范圍
鍺：近本征鍺≤103 Ω?cm    硅≤103 Ω?cm
顯示方式： 液晶直顯
功    耗：30W
供電電源：AC 220V ±10% 50/60Hz.
推薦使用環(huán)境：溫度：23±2℃   相對溫度：≤65%