1.本儀器是晶閘管斷態(tài)電壓臨界上升率dv/dt參數的測試設備。適用于交流固態(tài)繼電器、晶閘管、雙向可控硅以及可控硅型光電耦合器的dv/dt參數測試。

2.本測試儀采用單片機控制，能夠對測試條件及測試數據進行運算；從而使得測試結果能夠直接讀出，免去了繁瑣的查表和運算。

3.單片機的數據處理和優(yōu)化功能，降低了電路分布參數對測量結果的影響，使得測試結果準確。

4.由于該儀器的時間常數調整范圍大、檔位密集，對測試電壓、時間常數和測量結果進行數字顯示，從而使得儀器的測量精度高、操作加簡便和快捷。

5.其檢測原理采用JB/T7626-1994標準推薦的方法。是固態(tài)繼電器、電力半導體晶閘管生產廠家和使用單位常用的檢測設備。

參數：

測試輸出電壓：2kV±5%

電壓測量誤差：±（讀數×2%+1）V

時間常數調整范圍：0.25-8μS

斷態(tài)電壓臨界上升率dv/dt測量范圍：0-4000V/μS

工作電源：AC 220V±10% 50Hz

工作溫度：0-40℃

整機功耗：小于150VA

整機尺寸：370×390×170mm

整機重量：11Kg