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北京中慧天誠科技有限公司

霍爾效應的測量是研究半導體的重要實驗方法

時間:2014-4-9閱讀:1054
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變溫霍爾效應實驗儀產(chǎn)品介紹:
霍爾效應的測量是研究半導體的重要實驗方法。利用霍爾系數(shù)和電導率的聯(lián)合測量,變溫霍爾實驗儀可以用來確定半導體的導電類型和載流子濃度。通過測量霍爾系數(shù)與電導率溫度的變化,可以確定半導體的禁帶寬度、雜質電離能及遷移率的溫度系數(shù)等基本參數(shù)。本儀器采用現(xiàn)代電子和計算機數(shù)據(jù)采集系統(tǒng),對霍爾樣品鉆弱場條件下進行變溫霍爾系數(shù)和電導率的測量,來確定半導體材料的種性質。
變溫霍爾效應實驗儀實驗裝置:
變溫霍爾實驗儀主要是由電磁鐵、可自動換向穩(wěn)流源、恒溫器、測溫控溫系統(tǒng)、數(shù)據(jù)采集及數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)等。
變溫霍爾效應實驗儀指標:
電磁鐵:0-300mT可調(diào)
勵磁電源:0-可調(diào),可自動換向
穩(wěn)定性:<±0.1%
數(shù)字特斯拉計:0-2000mT三位半數(shù)字顯示
恒流源輸出:1mA
穩(wěn)定性:±0.1%
數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)霍爾電壓測量zui小分辨率:1uV
溫度變化測量范圍:80-400K
工作電源:AC 220V;50Hz
功率范圍:200W

MLHT-648變溫霍爾效應實驗儀|變溫霍爾實驗儀

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