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LET-2000D力鈦科（Letak）半導(dǎo)體靜動(dòng)態(tài)測(cè)試系統(tǒng)

LET-2000D力鈦科（Letak）半導(dǎo)體靜動(dòng)態(tài)測(cè)試系統(tǒng)

是滿足IEC60747-8/9、JESD24標(biāo)準(zhǔn)，旨在幫助工程師解決器件驗(yàn)證、器件參數(shù)評(píng)估、驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)、PCB設(shè)計(jì)等需要半導(dǎo)體動(dòng)態(tài)參數(shù)的場(chǎng)合。特別對(duì)于應(yīng)用第三代半導(dǎo)體的需要，有著較高的系統(tǒng)帶寬，可以有效的測(cè)量出實(shí)際的器件參數(shù)。

　　雙脈沖測(cè)試法可以測(cè)試IGBT模塊和驅(qū)動(dòng)的性能，獲取IGBT穩(wěn)態(tài)和暫態(tài)過(guò)程中的主要參數(shù)，用以評(píng)估IGBT模塊和驅(qū)動(dòng)的性能，并進(jìn)行電路參數(shù)的優(yōu)化。

具體包括測(cè)試IGBT的實(shí)際工況、開(kāi)關(guān)損耗、關(guān)斷電壓尖峰、開(kāi)關(guān)暫態(tài)震蕩情況、二極管反向恢復(fù)電流、雜散電感影響、吸收電路影響、短路保護(hù)功能等，可以通過(guò)測(cè)試進(jìn)行優(yōu)化柵極電阻RGON和RGOFF參數(shù)、吸收電路參數(shù)、開(kāi)關(guān)頻率設(shè)置等，并可以進(jìn)行IGBT模塊的并聯(lián)和串聯(lián)實(shí)驗(yàn)。

　　硬件優(yōu)勢(shì):

　　-采用12 bit示波器：正確反映波形的細(xì)節(jié)，并準(zhǔn)確計(jì)算出參數(shù)

　　-采用光隔離、高CMRR探頭系統(tǒng)，解決SIC\GAN的測(cè)試難點(diǎn)

　　-高帶寬的電壓和電流探測(cè)，彌補(bǔ)一般系統(tǒng)對(duì)SIC/GAN的測(cè)量要求

　　-可以滿足上/下管測(cè)試，避免頻繁連接探頭

　　-電壓覆蓋范圍寬、并可以再次擴(kuò)展

　　-器件驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)支持SIC/GAN器件

　　-系統(tǒng)帶寬：>400MHz

　　-系統(tǒng)可以定制

軟件特點(diǎn)：

測(cè)量參數(shù)齊全：開(kāi)關(guān)參數(shù)、短路參數(shù)、反向恢復(fù)參數(shù)

支持器件類型多：?jiǎn)喂?模塊，MOSFET、IGBT、FWD、GTR…

測(cè)試方式：?jiǎn)蚊}沖、多脈沖

離線數(shù)據(jù)分析：既可以在線測(cè)量，也可以記錄數(shù)據(jù)離線分析

測(cè)試UI符合工程師的使用習(xí)慣

測(cè)量項(xiàng)目及器件支持?jǐn)U展