2
-
低溫真空模塊
參考價:面議
QSense 耗散型石英晶體微天平(QCM-D)低溫真空模塊可以在低至10K的溫度及真空條件下檢測納米尺度的污染物和氣體吸附。
型號: QCM-D 廠商性質(zhì):生產(chǎn)商所在地:上海市
對比
QSense 耗散型石英晶體微天平
2025/5/23 10:01:28163
-
礦物浮選模塊
參考價:面議
QSense 礦物浮選模塊旨在以納克級精度實時分析液相中分子在芯片表面的吸附和相互作用。通過將模塊倒置(即芯片有效傳感器區(qū)域)于樣品池中,可有效降低液體中的顆粒...
型號: QCM-D 廠商性質(zhì):生產(chǎn)商所在地:上海市
對比
QSense 耗散型石英晶體微天平
2025/5/23 9:58:55185
-
ALD模塊
參考價:面議
QSense 耗散型石英晶體微天平(QCM-D)QSense® ALD模塊(原子層沉積)樣品架設計用于在真空或氣相中進行QCM-D測量。
型號: QCM-D 廠商性質(zhì):生產(chǎn)商所在地:上海市
對比
QSense 耗散型石英晶體微天平
2025/5/23 9:56:42147
-
PTFE流動模塊
參考價:面議
PTFE流動模塊可用于一些試劑或分子對鈦金屬敏感或者會發(fā)生相互作用的流動或靜止實驗。PTFE流動模塊與QSense®標準流動模塊QFM 401類似,但...
型號: QCM-D 廠商性質(zhì):生產(chǎn)商所在地:上海市
對比
QSense 耗散型石英晶體微天平
2025/5/23 9:55:01152
-
窗口模塊
參考價:面議
QSense®窗口模塊允許光線通過藍寶石窗口進入芯片表面,從而能夠進行紫外誘導反應和顯微鏡聯(lián)用實驗。
型號: QCM-D 廠商性質(zhì):生產(chǎn)商所在地:上海市
對比
QSense 耗散型石英晶體微天平
2025/5/23 9:53:05129
-
開放模塊
參考價:面議
QSense®開放模塊的設計是允許在某些應用中樣品可直接進入芯片表面,例如通過移液器將樣品直接滴加于芯片表面。當不需要流動條件時,也可用于快速吸附測試...
型號: QCM-D 廠商性質(zhì):生產(chǎn)商所在地:上海市
對比
QSense 耗散型石英晶體微天平
2025/5/23 9:46:23157
-
濕度模塊
參考價:面議
QSense 耗散型石英晶體微天平(QCM-D)QSense®濕度模塊可用于測量芯片表面涂覆的薄膜對氣體的吸收與釋放。
型號: QCM-D 廠商性質(zhì):生產(chǎn)商所在地:上海市
對比
QSense 耗散型石英晶體微天平
2025/5/23 9:44:12123
-
流動模塊
參考價:面議
在QSense Explorer和QSense Analyzer系統(tǒng)中均包含標準QSense流動模塊。
型號: QCM-D 廠商性質(zhì):生產(chǎn)商所在地:上海市
對比
QSense 耗散型石英晶體微天平
2025/5/23 9:42:49118
-
橢偏聯(lián)用模塊
參考價:面議
橢偏儀模塊 Qsense橢偏聯(lián)用模塊可在同一芯片上同時進行QCM-D和橢偏測試。
型號: QCM-D 廠商性質(zhì):生產(chǎn)商所在地:上海市
對比
聯(lián)用模塊
2025/5/23 9:36:36161
-
電化學模塊
參考價:面議
QSense電化學模塊能夠同時進行具有耗散檢測功能的石英晶體微天平和電化學測試 (EQCM-D),或是同時實現(xiàn)QCM-D和電化學阻抗譜(EIS)測試。
型號: QCM-D 廠商性質(zhì):生產(chǎn)商所在地:上海市
對比
QSense 耗散型石英晶體微天平
2025/5/23 9:27:43112
以上信息由企業(yè)自行提供,信息內(nèi)容的真實性、準確性和合法性由相關企業(yè)負責,化工儀器網(wǎng)對此不承擔任何保證責任。溫馨提示:為規(guī)避購買風險,建議您在購買產(chǎn)品前務必確認供應商資質(zhì)及產(chǎn)品質(zhì)量。
高密市|
辽阳县|
兰溪市|
珲春市|
积石山|
巍山|
永康市|
本溪|
罗江县|
潼南县|
竹北市|
绥滨县|
瑞金市|
林周县|
永寿县|
定州市|
陵水|
长汀县|
大庆市|
海门市|
延津县|
乐昌市|
新津县|
辰溪县|
乐至县|
焦作市|
崇礼县|
饶阳县|
兴安县|
玉山县|
常州市|
广州市|
奈曼旗|
鲁山县|
常熟市|
罗田县|
灵石县|
郓城县|
文昌市|
宁陕县|
临海市|