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撫生試劑-中科院微電子所采用ALD技術(shù)顯著提升發(fā)光器件效率
閱讀：230 發(fā)布時(shí)間：2014-1-3| 提 供 商 | 上海撫生實(shí)業(yè)有限公司 | 資料大小 | 8.8KB |
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中科院微電子所采用ALD技術(shù)顯著提升發(fā)光器件效率
日前，中國(guó)科學(xué)院微電子研究所將先進(jìn)的原子層沉積技術(shù)應(yīng)用于高光效半導(dǎo)體發(fā)光器件的研究取得顯著進(jìn)展。
上世紀(jì)80年代，原子層沉積(Atomic Layer Deposition，ALD)zui初由芬蘭科學(xué)家提出并應(yīng)用于平板顯示器件中Al2O3絕緣膜的沉積。2007年英特爾公司將原子層沉積技術(shù)引入45納米節(jié)點(diǎn)及以后的集成電路工藝，由于其沉積參數(shù)的高度可控性(厚度，成份和結(jié)構(gòu))，優(yōu)異的沉積均勻性和一致性使得其在微電子領(lǐng)域獲得了廣泛的應(yīng)用。
中國(guó)科學(xué)院微電子所四室劉洪剛研究員針對(duì)工業(yè)界常用的電子束方法制備分布式布拉格反射鏡(DBR)存在厚度不均勻、效率低等缺點(diǎn)，提出采用原子層沉積技術(shù)研制高性能分布式布拉格反射鏡(DBR)的設(shè)想以提升半導(dǎo)體發(fā)光器件的光提取效率，他帶領(lǐng)的科研團(tuán)隊(duì)通過(guò)開展ALD-DBR的材料篩選、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、沉積工藝、光學(xué)測(cè)量等方面的系統(tǒng)研究，研制出適于ALD大規(guī)模的Al2O3/TiO2新型DBR結(jié)構(gòu)并成功應(yīng)用于高光效氮化鎵基發(fā)光二極管(GaN LED)的，使GaN LED的光輸出功率提高43%以上。