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五個(gè)點(diǎn)來(lái)介紹NXP半導(dǎo)體KITPF8200FRDMPGM型的分類及性能
點(diǎn)擊次數(shù)：797 發(fā)布時(shí)間：2023-4-20
五個(gè)點(diǎn)來(lái)介紹NXP半導(dǎo)體KITPF8200FRDMPGM型的分類及性能：
（1）元素NXP半導(dǎo)體。元素NXP半導(dǎo)體是指單一元素構(gòu)成的NXP半導(dǎo)體，其中對(duì)硅、硒的研究比較早。它是由相同元素組成的具有NXP半導(dǎo)體特性的固體材料，容易受到微量雜質(zhì)和外界條件的影響而發(fā)生變化。目前， 只有硅、鍺性能好，運(yùn)用的比較廣，硒在電子照明和光電領(lǐng)域中應(yīng)用。硅在NXP半導(dǎo)體工業(yè)中運(yùn)用的多，這主要受到二氧化硅的影響，能夠在器件制作上形成掩膜，能夠提高NXP半導(dǎo)體器件的穩(wěn)定性，利于自動(dòng)化工業(yè)生產(chǎn)。
（2）無(wú)機(jī)合成物NXP半導(dǎo)體。無(wú)機(jī)合成物主要是通過(guò)單一元素構(gòu)成NXP半導(dǎo)體材料，當(dāng)然也有多種元素構(gòu)成的NXP半導(dǎo)體材料，主要的NXP半導(dǎo)體性質(zhì)有I族與V、VI、VII族；II族與IV、V、VI、VII族；III族與V、VI族；IV族與IV、VI族;V族與VI族；VI族與VI族的結(jié)合化合物，但受到元素的特性和制作方式的影響，不是所有的化合物都能夠符合NXP半導(dǎo)體材料的要求。這一NXP半導(dǎo)體主要運(yùn)用到高速器件中，InP制造的晶體管的速度比其他材料都高，主要運(yùn)用到光電集成電路、抗核輻射器件中。 對(duì)于導(dǎo)電率高的材料，主要用于LED等方面。
（3）有機(jī)合成物NXP半導(dǎo)體。有機(jī)化合物是指含分子中含有碳鍵的化合物，把有機(jī)化合物和碳鍵垂直，疊加的方式能夠形成導(dǎo)帶，通過(guò)化學(xué)的添加，能夠讓其進(jìn)入到能帶，這樣可以發(fā)生電導(dǎo)率，從而形成有機(jī)化合物NXP半導(dǎo)體。這一NXP半導(dǎo)體和以往的NXP半導(dǎo)體相比，具有成本低、溶解性好、材料輕加工容易的特點(diǎn)?？梢酝ㄟ^(guò)控制分子的方式來(lái)控制導(dǎo)電性能，應(yīng)用的范圍比較廣，主要用于有機(jī)薄膜、有機(jī)照明等方面。
（4）非晶態(tài)NXP半導(dǎo)體。它又被叫做無(wú)定形NXP半導(dǎo)體或玻璃NXP半導(dǎo)體，屬于半導(dǎo)電性的一類材料。非晶NXP半導(dǎo)體和其他非晶材料一樣，都是短程有序、長(zhǎng)程無(wú)序結(jié)構(gòu)。它主要是通過(guò)改變?cè)酉鄬?duì)位置，改變?cè)械闹芷谛耘帕?，形成非晶硅。晶態(tài)和非晶態(tài)主要區(qū)別于原子排列是否具有長(zhǎng)程序。非晶態(tài)NXP半導(dǎo)體的性能控制難，隨著技術(shù)的發(fā)明，非晶態(tài)NXP半導(dǎo)體開(kāi)始使用。這一制作工序簡(jiǎn)單，主要用于工程類，在光吸收方面有很好的效果，主要運(yùn)用到太陽(yáng)能電池和液晶顯示屏中。
（5）本征NXP半導(dǎo)體：不含雜質(zhì)且無(wú)晶格缺陷的NXP半導(dǎo)體稱為本征NXP半導(dǎo)體。在極低溫度下，NXP半導(dǎo)體的價(jià)帶是滿帶，受到熱激發(fā)后，價(jià)帶中的部分電子會(huì)越過(guò)禁帶進(jìn)入能量較高的空帶，空帶中存在電子后成為導(dǎo)帶，價(jià)帶中缺少一個(gè)電子后形成一個(gè)帶正電的空位，稱為空穴?？昭▽?dǎo)電并不是實(shí)際運(yùn)動(dòng)，而是一種等效。電子導(dǎo)電時(shí)等電量的空穴會(huì)沿其反方向運(yùn)動(dòng)。它們?cè)谕怆妶?chǎng)作用下產(chǎn)生定向運(yùn)動(dòng)而形成宏觀電流，分別稱為電子導(dǎo)電和空穴導(dǎo)電。這種由于電子-空穴對(duì)的產(chǎn)生而形成的混合型導(dǎo)電稱為本征導(dǎo)電。導(dǎo)帶中的電子會(huì)落入空穴，電子-空穴對(duì)消失，稱為復(fù)合。復(fù)合時(shí)釋放出的能量變成電磁輻射（發(fā)光）或晶格的熱振動(dòng)能量（發(fā)熱）。在一定溫度下，電子-空穴對(duì)的產(chǎn)生和復(fù)合同時(shí)存在并達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡，此時(shí)NXP半導(dǎo)體具有一定的載流子密度，從而具有一定的電阻率。溫度升高時(shí)，將產(chǎn)生更多的電子-空穴對(duì)，載流子密度增加，電阻率減小。無(wú)晶格缺陷的純凈NXP半導(dǎo)體的電阻率較大，實(shí)際應(yīng)用不多。
實(shí)物如下圖所示：
