沉積系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
三到六個(gè)端口傳送腔室可用于集成ICP等離子刻蝕機(jī)、RIE刻蝕機(jī)、原子層沉積系統(tǒng)、PECVD和ICPECVD沉積設(shè)備，以滿足研發(fā)的要求。樣品可以通過(guò)預(yù)真空室和/或...
SENTECH二維材料刻蝕 參考價(jià)：面議
SENTECH二維材料刻蝕能夠在低溫100°C下高均勻度和高保形性地覆蓋敏感襯底和膜層，在樣品表面提供高通量的反應(yīng)性氣體，而不受紫外線輻射或離子轟擊。
原子層沉積設(shè)備 參考價(jià)：面議
原子層沉積設(shè)備：真遠(yuǎn)程等離子體源能夠在低溫100°C下高均勻度和高保形性地覆蓋敏感襯底和膜層，在樣品表面提供高通量的反應(yīng)性氣體，而不受紫外線輻射或離子...(空格分隔,最多3個(gè),單個(gè)標(biāo)簽最多10個(gè)字符)
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