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技術文章
為什么有些半導體器件的生產(chǎn)工序要在真空中進行
點擊次數(shù)：836 發(fā)布時間：2023-5-29
工藝設備腔體內(nèi)的真空度是一方面要滿足輝光放電的起輝條件，另一方面避免粒子碰撞過多導致動量損失。等離子體化學氣相沉積、磁控濺射、干法刻蝕等工藝設備，都是先給個電壓讓腔體內(nèi)反應氣體離化，形成腔體內(nèi)等離子體通路和外部電極的電流回路。如果氣壓過低也就是粒子太少，內(nèi)部電流通路就無法形成，無法輝光自持。如果氣壓過高，等離子體在向樣品表面移動過程中粒子碰撞，發(fā)生動量的方向發(fā)散和大小損失，也能影響起輝（撞不開了），對干刻速率等工藝效果有影響。
北京錦正茂科技有限公司擁有專業(yè)真空腔體設計制造技術，根據(jù)工業(yè)和研究中心的高要求制造腔體，用于高真空和超高真空制程或學術研究設備。
北京錦正茂科技有限公司為真空腔體(箱體)設計制造供應商，依照客戶訂制的需求客制化真空腔體(箱體)，分析您的需求以找到適合的應用設計，并擁有良好品質(zhì)的制造質(zhì)量保證，提供安裝和咨詢現(xiàn)場服務解決方案的協(xié)助。
北京錦正茂科技有限公司亦有生產(chǎn)和供應范圍廣泛的真空零組件和真空配件，例：真空法蘭、真空配件、真空波紋管以及藍寶石真空視窗等，可應用于真空腔體(箱體)上。
