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技術(shù)文章
磁場強(qiáng)度單位和磁感應(yīng)強(qiáng)度單位轉(zhuǎn)換
點(diǎn)擊次數(shù)：6792 發(fā)布時(shí)間：2021-6-22
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磁學(xué)量名稱 | 符號 | CGS單位 | SI單位 | 換算比（SI制數(shù)值乘以此數(shù)即得CGS制數(shù)值） |
磁*度 | m | 韋(Wb) | 108/4π | |
磁通 | φ | 麥克斯韋（Mx) | 韋(Wb) | 108 |
磁矩 | Mm | 磁矩 | 安/米2(A/m2) | 103 |
磁通密度或磁感應(yīng)強(qiáng)度 | B | 高斯（Gs） | 韋/米2或特[斯拉](Wb/m2或T) | 104 |
磁場強(qiáng)度 | H | 奧斯特（Oe） | 安/米(A/m) | 1/79.6 |
磁勢或磁通勢 | φm Vm | 奧·厘米(Oe·cm) | 安匝（A） | 4π/10 |
磁化強(qiáng)度 | M | 高斯（Gs） | 安/米(A/m) | 10-3 |
相對磁化率 | X | 4π | ||
相對導(dǎo)磁率 | μ | 1 | ||
退磁因子 | N(CGS)D(SI) | 4π | ||
真空導(dǎo)磁率 | μ0 | 1 | 4π/107 | 107/4π |
磁阻 | Rm | (奧·厘米)/麥克斯韋 | 安匝/韋（A/Wb | 4π·10-9 |
磁晶各向異性常數(shù) | K1 | erg/cm2 | 焦/米3(J/m3) | 10 |
磁能積 | (BH)m | 高·奧 | 焦/米3(J/m3) | 109/7.96 |
疇壁能密度 | γ | erg/cm2 | 焦/米2(J/m2) | 103 |
磁場單位
Oe（奧斯特）,A/m,T（特斯拉）三種.
1T=1000mT
1mT=10Gs
1Gs=79.6A/m
1T(特斯拉)=10000Gs(高斯)=1Wb/M2
1Gs(高斯)=1Oe(奧斯特)