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變溫霍爾測(cè)量系統(tǒng)技術(shù)指導(dǎo)
點(diǎn)擊次數(shù)：916 發(fā)布時(shí)間：2020-8-6
產(chǎn)品概述：
本儀器系統(tǒng)由：電磁鐵、電磁鐵電源、高精度恒流源高精度電壓表、高斯計(jì)、霍爾效應(yīng)樣品支架、標(biāo)準(zhǔn)樣品、高低溫杜瓦，控溫儀，系統(tǒng)軟件。為本儀器系統(tǒng)專門研制的JH10 效應(yīng)儀將恒流源，六位半微伏表及霍爾測(cè)量復(fù)雜的切換繼電器——開關(guān)組裝成一體，大大減化了實(shí)驗(yàn)的連線與操作。JH10 可單獨(dú)做恒流源、微伏表使用。用于測(cè)量半導(dǎo)體材料的載流子濃度、遷移率、電阻率、霍爾系數(shù)等重要參數(shù)，而這些參數(shù)是了解半導(dǎo)體材料電學(xué)特性必須預(yù)先掌控的，因此霍爾效應(yīng)測(cè)試系統(tǒng)是理解和研究半導(dǎo)體器件和半導(dǎo)體材料電學(xué)特性*的工具。 實(shí)驗(yàn)結(jié)果由軟件自動(dòng)計(jì)算得到，可同時(shí)得到體載流子濃度(Bulk Carrier oncentration)、表面載流子濃度(Sheet Carrier Concentration)、遷移率(Mobility)、電阻率(Resistivity)、霍爾系數(shù)(Hall Coefficient)、磁致電阻(Magnetoresistance)等。
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可測(cè)試材料: ?
半導(dǎo)體材料：SiGe, SiC, InAs, InGaAs, InP, AlGaAs, HgCdTe 和鐵氧體材料等；
低阻抗材料：石墨烯、金屬、透明氧化物、弱磁性半導(dǎo)體材料、TMR 材料等；
高阻抗材料：半絕緣的 GaAs, GaN, CdTe 等。
技術(shù)指標(biāo)。
* 磁 場(chǎng)：10mm 間距為 2T 30mm 間距為 1T
* 樣品電流：0.05uA~50mA(調(diào)節(jié) 0.1nA)
* 測(cè)量電壓：0.1uV~30V
* 提供各類測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)材料，各級(jí)別硅與砷化鎵（靈敏度與精度不同）
* 小分辨率：0.1GS
* 磁場(chǎng)范圍：0-1T
* 配合高斯計(jì)或數(shù)采板可計(jì)算機(jī)通訊
* I-V 曲線及 I-R 曲線測(cè)量等
* 霍爾系數(shù)、載流子濃度等參數(shù)隨溫度的變化曲線
* 電阻率范圍：10-7~1012 Ohm*cm
* 電阻范圍：10 m Ohms~ 6MOhms
* 載流子濃度：103~1023cm-3
* 遷移率：0.1~108cm2/volt*sec
* 溫度調(diào)節(jié) 0.1K
* 溫區(qū)：77K-470K
* 測(cè)試全自動(dòng)化，一鍵處理
* 可實(shí)現(xiàn)相同溫差間的連續(xù)測(cè)量
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