3.15消費(fèi)者維權(quán)日”看環(huán)境試驗設(shè)備的執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)概述”

環(huán)境試驗設(shè)備的概括：環(huán)境試驗設(shè)備設(shè)計、生產(chǎn)的依據(jù)是環(huán)境試驗方法，隨著生產(chǎn)力的進(jìn)步、國民經(jīng)濟(jì)的發(fā)展，環(huán)境試驗方法的日臻豐富，相應(yīng)的環(huán)境試驗設(shè)備亦隨之日益增多。為了使環(huán)境試驗?zāi)芸煽?、持續(xù)地得到實(shí)施，這就需要有*，性能合格的試驗設(shè)備，而要達(dá)到這一要求，就需有一個統(tǒng)一衡量試驗設(shè)備尺度即環(huán)境試驗設(shè)備標(biāo)準(zhǔn)，以及環(huán)境試驗設(shè)備基本參數(shù)檢定標(biāo)準(zhǔn)。 

我國的環(huán)境試驗設(shè)備標(biāo)準(zhǔn)（以下簡稱“設(shè)備標(biāo)準(zhǔn)”）及電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗設(shè)備基本參數(shù)檢定方法標(biāo)準(zhǔn)（以下簡稱“方法標(biāo)準(zhǔn)”）起草、發(fā)布、實(shí)施于二十世紀(jì)八十年代中期。我們所要的標(biāo)準(zhǔn)資料都可以在“國標(biāo)網(wǎng)”上查到。下面就簡單的提供部分執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)供參考。

一、環(huán)境試驗設(shè)備標(biāo)準(zhǔn)有九項： 

1.GB10586-89 濕熱試驗箱 技術(shù)條件； 

2.GB10587-89 鹽霧試驗箱 技術(shù)條件； 

3.GB10588-89 長霉試驗箱 技術(shù)條件； 

4.GB10589-89 低溫試驗箱 技術(shù)條件； 

5.GB10590-89 低溫/低氣壓試驗箱 技術(shù)條件；

6.GB10591-89 高溫/低氣壓試驗箱 技術(shù)條件； 

7.GB10592-89 高、低溫試驗箱 技術(shù)條件； 

8.GB11158-89 高溫試驗箱 技術(shù)條件；

9.GB11159-89 低氣壓試驗箱 技術(shù)條件；

二、現(xiàn)行環(huán)境試驗設(shè)備基本參數(shù)檢定方法標(biāo)準(zhǔn)有六項： 

1.GB/T5170.2-1996電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗設(shè)備基本參數(shù)檢定方法溫度試驗設(shè)備； 

2.GB/T5170.5-1996電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗設(shè)備基本參數(shù)檢定方法濕熱試驗設(shè)備； 

3.GB/T5170.8-1996電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗設(shè)備基本參數(shù)檢定方法鹽霧試驗設(shè)備； 

4.GB/T5170.9-1996電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗設(shè)備基本參數(shù)檢定方法太陽輻射試驗設(shè)備； 

5.GB/T5170.10-1996電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗設(shè)備基本參數(shù)檢定方法高低溫低氣壓試驗設(shè)備；

6.GB/T5170.11-1996電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗設(shè)備基本參數(shù)檢定方法腐蝕氣體試驗設(shè)備；