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| 少子壽命測試儀（學(xué)校用） 型號：ZH8202 | |
| 產(chǎn)品簡介: τ:10～6000μs，ρ＞3Ω·cm ，配數(shù)字示波器;用于硅、鍺單晶的少數(shù)載流子壽命測量，除需要有一個測量平面外，對樣塊體形嚴(yán)格要求，可測塊狀和片狀單晶壽命。壽命測量可靈敏地反映單晶體內(nèi)重金屬雜質(zhì)污染及缺陷存在的情況，是單晶質(zhì)的重要檢測項目。 設(shè)備組成 1.光脈沖發(fā)生裝置: 重復(fù)頻率>25次/s 脈 寬>60μｓ 光脈沖關(guān)斷時間＜1μｓ 紅外光源波長：1.06～1.09μm（測量硅單晶） 脈沖電流：～20A 如測量鍺單晶壽命需配置適當(dāng)波長的光源 2.高頻源: 頻 率：30MHz低輸出阻抗 輸出功率>1W 放大器和檢波器: 頻率響應(yīng)：2Hz～2MHz 3.配用示波器： 配用示波器：頻帶寬度不低于10MHz，Y軸增益及掃描速度均應(yīng)連續(xù)可調(diào)。 測量范圍： 可測硅單晶的電阻率范圍：ρ≥0.1Ω·㎝（歐姆·厘米） 壽命值的測量范圍：5～6000μｓ（微秒） |  |
