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 低功耗充電器方案FT838MBD

輸入電壓范圍： 90~264V

輸出電壓/電流： 5V/2A

尺寸： 45.3*36.9mm

典型效率： 79%

EMI： pass

空載待機(jī)功耗： <120mW

zui大輸出紋波： <80mVp-p

1、高效率 ≥78.7% @115V/230V；

2、低待機(jī)功耗 ＜120mW；

3、輸出紋波噪音低 ＜80mV；

4、內(nèi)置MOS，DIP8封裝，IC溫升

低，外圍元件少，成本低；

5、在五能效標(biāo)準(zhǔn)基礎(chǔ)上有充足的

低功耗充電器方案FT838D

1）FT838D是款高性能，低功耗的開(kāi)關(guān)電源控制芯片，可驅(qū)動(dòng)BJT或MOS開(kāi)關(guān)，單芯片的驅(qū)動(dòng)范圍可覆蓋1-18W的LED和Charger/Adapter應(yīng)用域。

2）FT838D集成恒流恒壓控制模塊，能在無(wú)光耦和TL431的情況下實(shí)現(xiàn)次恒流恒壓。

3）FT838D還集成了欠壓鎖定，前沿消隱，內(nèi)置輸出線(xiàn)損補(bǔ)償，輸入電壓補(bǔ)償，利用這些功能客戶(hù)可以方便實(shí)現(xiàn)個(gè)*外部元器件和低成本的AC-DC電源模式塊。使用該芯片設(shè)計(jì)的電源模塊可以同時(shí)滿(mǎn)足高的平均效率和快速的輸出動(dòng)態(tài)影響。

4）FT838D集成豐富的保護(hù)功能，如VCC過(guò)壓保護(hù)，OTP過(guò)溫保護(hù)，反饋回路開(kāi)路保護(hù)，簡(jiǎn)化外部電路，而且能提高電源模塊的可靠性。

5）FT838D的待機(jī)功耗更低。

6）FT838D封裝格式為SOT23-5滿(mǎn)足無(wú)鉛和綠色環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)。

低功耗充電器方案 FT838NB

FT838NB/FT838RNA是款高性能，低功耗的開(kāi)關(guān)電源控制芯 片，它集成恒流恒壓控制模塊，能在無(wú)光耦和TL431的情況下實(shí)現(xiàn)次恒流恒壓。FT838NB/FT838RNA還集成了欠壓鎖定，前沿消隱，內(nèi)置輸出 線(xiàn)損補(bǔ)償，輸入電壓補(bǔ)償和內(nèi)置開(kāi)關(guān)功率NPN，利用這些功能客戶(hù)可以方便實(shí)現(xiàn)個(gè)*外部元器件和低成本的AC-DB電源模塊。FT838NB應(yīng)用于電源 供應(yīng)器可同步實(shí)現(xiàn)zui高下半場(chǎng)效率和快速動(dòng)態(tài)負(fù)載供應(yīng)，F(xiàn)T838RNA應(yīng)用于LED驅(qū)動(dòng)，待機(jī)電流略高（~22uA）。

FT838NB、FT838RNA集成豐富的保護(hù)功能，如VCC過(guò)壓保護(hù)，OTP過(guò)溫保護(hù)，反鎖回路開(kāi)路保護(hù)，這些保護(hù)功能不但能簡(jiǎn)化外部電路，而且能夠提高電源模塊的可靠性。

FT838NB/FT838RNA的封裝格式為SOP8,滿(mǎn)足無(wú)鉛或綠色環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)。