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磁阻效應實驗儀 型號；HAD-FD-MR-II
磁阻器件由于靈敏度、抗干擾能力強等優(yōu)點在業(yè)、交通、儀器儀表、療器械、探礦等域應用十分廣泛，如：數(shù)字式羅盤、交通車輛檢測，導航系統(tǒng)、wei鈔檢測、位置測量等。其中zui典型的銻化銦（ InSb）傳感器是種價格低廉、靈敏度的磁電阻，有著十分重要的應用價值。
本實驗裝置結構簡單、實驗內容豐富，使用兩種材料的傳感器：利用砷化鎵（ GaAs）霍耳傳感器測量磁感應強度，研究銻化銦（InSb）磁阻傳感器在不同的磁感應強度下的電阻大小。學生可觀測半導體的霍耳效應和磁阻效應兩種物理規(guī)律，具有研究性和性實驗的點。
該儀器可用于理科大學的基礎物理實驗和性綜合物理實驗，也可用于演示實驗。
應用本實驗儀可以成以下實驗：
1．用于測定通過電磁鐵的電和磁鐵間隙中磁感應強度的關系，觀測砷化鎵（GaAs）霍耳元件的霍耳效應。
2．用于測定銻化銦（InSb）磁阻元件電阻大小磁感應強度的對應關系。
3．研究銻化銦（InSb）磁阻元件在不同磁感應強度區(qū)域的電阻值變化與磁感應強度的關系，行曲線擬合，求出磁阻元件電阻與磁感應強度關系的經(jīng)驗公式。
4．外接信號發(fā)生器，深入研究磁電阻的交性（倍頻效應），觀測其有的物理現(xiàn)象（選做）。
儀器主要參數(shù)：
1.雙路直電源
電范圍 0－500ｍA 連續(xù)可調，數(shù)字電表顯示大小。
電范圍 0－3ｍA 連續(xù)可調，供傳感器的作電。
2.數(shù)字式毫計
測量范圍 0－0.5T，分辨率0.0001T，準確率為1%。
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