GSZ-RTS-4型數(shù)字式四探針測(cè)試儀是運(yùn)用四探針測(cè)量原理的多用途綜合測(cè)量設(shè)備。該儀器按照單晶硅物理測(cè)試方法家標(biāo)準(zhǔn)并參考美 A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)而的，用于測(cè)試半導(dǎo)體材料電阻率及方塊電阻(薄層電阻)的用儀器。
    儀器由主機(jī)、測(cè)試臺(tái)、四探針探頭、計(jì)算機(jī)等分組成，測(cè)量數(shù)據(jù)既可由主機(jī)直接顯示，亦可由計(jì)算機(jī)控制測(cè)試采集測(cè)試數(shù)據(jù)到計(jì)算機(jī)中加以分析，然后以表格，圖形方式統(tǒng)計(jì)分析顯示測(cè)試結(jié)果。
    儀器采用了新電子行、裝配。具有能選擇直觀、測(cè)量取數(shù)快、度、測(cè)量范圍寬、穩(wěn)定性好、結(jié)構(gòu)緊湊、易操作等點(diǎn)。
    本儀器適用于半導(dǎo)體材料廠、半導(dǎo)體器件廠、科研單位、等院校對(duì)半導(dǎo)體材料的電阻性能測(cè)試。
GSZ-RTS-4型四探針軟件測(cè)試系統(tǒng)是個(gè)運(yùn)行在計(jì)算機(jī)上擁有友好測(cè)試界面的用戶程序，通過此測(cè)試程序輔助使用戶簡(jiǎn)便地行各項(xiàng)測(cè)試及獲得測(cè)試數(shù)據(jù)并對(duì)測(cè)試數(shù)據(jù)行統(tǒng)計(jì)分析。
    測(cè)試程序控制四探針測(cè)試儀行測(cè)量并采集測(cè)試數(shù)據(jù)，把采集到的數(shù)據(jù)在計(jì)算機(jī)中加以分析，然后把測(cè)試數(shù)據(jù)以表格，圖形直觀地記錄、顯示出來。用戶可對(duì)采集到的數(shù)據(jù)在電腦中保存或者打印以備日后參考和查看，還可以把采集到的數(shù)據(jù)輸出到Excel中，讓用戶對(duì)數(shù)據(jù)行各種數(shù)據(jù)分析
參數(shù)：

測(cè)量范圍	電阻率：0.0001～2000Ω.cm(可擴(kuò)展)；方塊電阻：0.001～20000Ω/□(可擴(kuò)展)；電導(dǎo)率：0.0005～10000 s/cm；電阻：0.0001～2000Ω.cm；
可測(cè)晶片直徑	140mmX150mm(配S-2A型測(cè)試臺(tái))； 200mmX200mm(配S-2B型測(cè)試臺(tái))； 400mmX500mm(配S-2C型測(cè)試臺(tái))；
恒源	電量程分為0.1mA、1mA、10mA、100mA四檔，各檔電連續(xù)可調(diào)
數(shù)字電壓表	量程及表示形式：000.00～199.99mV；　　　　分辨力：10μV；輸入阻抗：>1000MΩ；度：±0.1% ；顯示：四位半紅色發(fā)光管數(shù)字顯示；性、量程自動(dòng)顯示；
四探針探頭基本標(biāo)	間距：1±0.01mm；針間緣電阻：≥1000MΩ；機(jī)械游移率：≤0.3%；探針：碳化鎢或速鋼Ф0.5mm；探針壓力：5～16 牛頓(總力)；
四探針探頭應(yīng)用參數(shù)	(見探頭附帶的合格證)
模擬電阻測(cè)量相對(duì)誤差 ( 按JJG508-87行)	0.1Ω、1Ω、10Ω、100Ω小于等于0.3%±1字
整機(jī)測(cè)量較大相對(duì)誤差	(用硅標(biāo)樣片：0.01-180Ω.cm測(cè)試)≤±5%
整機(jī)測(cè)量標(biāo)準(zhǔn)不確定度	≤5%
計(jì)算機(jī)通訊接口	并口
標(biāo)準(zhǔn)使用環(huán)境	溫度：23±2℃；相對(duì)濕度：≤65%；無頻干擾；無強(qiáng)光直射；

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四探針電阻率測(cè)試儀用于測(cè)試半導(dǎo)體材料電阻率及方塊電阻（的用儀器

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