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碳化硅陶瓷燒結制品應用2021/4/27

反應燒結碳化硅工藝是在碳化硅中加入硅粉和碳（石墨、碳黑等），在1450℃埋碳燒成，使硅粉與碳反應生成低溫型β-SiC，將原碳化硅顆粒結合起來，這種工藝制備的SiC制品的性能良好，強度較大。由于制品中一...

碳化硅陶瓷材料燒結及應用2021/4/21

碳化硅陶瓷材料具有：耐磨、耐腐蝕、高硬度、低密度以及較高的高溫強度等優(yōu)點，因此近年來在各個領域中迅速普及，發(fā)展非常迅速。在航空航天、核工業(yè)、石油工業(yè)、化學工業(yè)、輕紡工業(yè)、食品工業(yè)等需要在高溫、高速、耐...

金剛石/鋁復合材料的制備2021/4/21

金屬基復合材料由于結構特殊，因此在傳熱性能方面具有較好的優(yōu)勢。其中，金剛石／鋁復合材料由于具有低密度、高導熱和熱膨脹系數(shù)可調等優(yōu)勢而成為熱管理領域的研究熱點和發(fā)展方向，例如作為導熱性能優(yōu)異的熱管理材料...

非晶/納米晶復合材料制備方法簡介2021/3/8

非晶合金的形成晶體是通過結晶過程形成的具有規(guī)則幾何形狀的固體，它是由原子或者分子按照一定規(guī)律周期性排列形成的。與晶體相對應的，原子或分子不規(guī)則排列，沒有周期性和不具有對稱性的固體叫做非晶。它是一種長程...

SPS制備超細晶鉬合金2021/2/7

鉬及鉬合金具有優(yōu)異的高溫力學性能，低的膨脹系數(shù)和高的導電導熱系數(shù)，是非常具有應用前景的難熔金屬材料，在宇航、電子和核能等眾多工業(yè)領域都有很廣泛的應用。有相關學者圍繞改善鉬合金的力學性能做了大量的研究工...

多層金屬復合材料的制備工藝2020/12/28

根據(jù)多層復合材料在制備過程中組員材料的不同物理狀態(tài)，可以將多層復合材料的制備方法大體分為三類：固相-固相復合、液相-固相復合、液相-液相復合。固相-固相復合的方法主要有爆炸焊接法，軋制法、擴散法，以及...

多層金屬復合材料研究現(xiàn)狀2020/12/22

隨著科學技術的發(fā)展和進步，對材料的性能要求也越來越高，傳統(tǒng)材料由于結構單一，綜合性能不夠突出，難以滿足對多性能耦合要求的服役環(huán)境。但是由多種不同性能的材料通過物理或者化學方法結合制備而成的復合材料，既...

金屬基復合材料的制備2020/12/15

近些年來，科技的不斷發(fā)展和進步，使得傳統(tǒng)材料已無法滿足多種產(chǎn)業(yè)對其比強度、比剛度等性能的要求。高性能材料的研發(fā)是現(xiàn)今新科技發(fā)展的重要方向，而復合材料的出現(xiàn)在較大程度上解決了材料所面臨的問題，促進了材料...

金屬基復合材料的發(fā)展現(xiàn)狀2020/12/11

金屬基復合材料除了具有高比強度、高比模量和低膨脹系數(shù)等特點外，還具有良好的耐熱性、高韌性、耐老化性、高導電和高導熱性，同時還能抗輻射、阻燃、不吸潮、不放氣等特點。通過不同材料的組合，可以人為地制造出符...

金屬基復合材料2020/11/30

金屬基復合材料（MetalMatrixcomposites,MMCs）主要是指以金屬、合金為基體材料，以纖維、晶須、顆粒等高強度材料作為增強體，制備而成的一種復合材料。MMCs的常用的制備方法有：粉末...

碳化硅晶體的高溫退火處理2020/11/16

碳化硅SiC晶體生長較常見，較成熟的方法仍然是物理氣相輸運法（PVT），該方法是一種氣相生長方法，生長溫度高，對原材料以及工藝參數(shù)等都有很高的要求。近年來，國內外對PVT工藝的開發(fā)投入了大量的時間和精...

第三代半導體材料之碳化硅2020/11/10

碳化硅SiC是一種由硅﹙Si﹚與碳﹙C﹚以共價鍵為主結合而成的化合物，其基本單元為Si-C四面體，其中Si原子位于中心，周圍為C原子。SiC所有的結構均由Si-C四面體以不同的堆積方式構成。目前已發(fā)現(xiàn)...

ITO靶材常壓燒結工藝進展2020/11/9

20世紀90年代初興起了一種新的靶材燒結方法-常壓燒結法，它是指在一定氣氛和溫度條件下對ITO靶材的素坯進行燒結，通過對燒結過程中各因素的控制，來有效控制ITO素坯晶粒的生長，從而達到靶材的晶粒分布均...

ITO靶材燒結工藝2020/10/26

ITO（氧化銦錫）是制備ITO導電玻璃的重要原料。ITO靶材經(jīng)濺射后可在玻璃上形成透明ITO導電薄膜，其性能是決定導電玻璃產(chǎn)品質量、生產(chǎn)效率、成品率的關鍵因素。ITO靶材性能的重要指標是成分、相結構和...

ITO靶材應用及發(fā)展前景2020/10/21

氧化銦錫（ITO）晶體結構氧化銦錫（ITO）是通過用錫摻雜In2O3而形成的n型半導體，晶體結構是In2O3結構，其中In2O3結構具有兩種形態(tài)，一種是立方鐵錳礦結構，另一種是六方剛玉結構。立方鐵錳礦...