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詳細(xì)摘要： CVD Graphene/CVD Hexagonal Boron Nitride heterostructure on SiO2/Si wafer

詳細(xì)摘要： 尺寸：1*1cm/5*5cm/10*10cm層數(shù)：?jiǎn)螌泳Я＃簡(jiǎn)尉?多晶，50~300um

詳細(xì)摘要： Substrate:Sapphire （c-cut）Quartz （Silica）TEM grids （please supply grids）Thermal ...

詳細(xì)摘要： 三維石墨烯網(wǎng)絡(luò)是在泡沫金屬基底上通過(guò)化學(xué)氣相沉積高溫生長(zhǎng)石墨烯薄膜層，借助泡沫基底的三維多孔骨架，生長(zhǎng)成石墨烯的三維網(wǎng)絡(luò)。三維石墨烯具有體表面積大，導(dǎo)電性佳，質(zhì)...

詳細(xì)摘要： 金屬有機(jī)骨架材料（MOFs）是近十年來(lái)發(fā)展迅速的一種配位聚合物，具有三維的孔結(jié)構(gòu)，一般以金屬離子為連接點(diǎn)，有機(jī)配體位支撐構(gòu)成空間3D延伸，系沸石和碳納米管之外的...

詳細(xì)摘要： 維石墨烯網(wǎng)絡(luò)是在泡沫金屬基底上通過(guò)化學(xué)氣相沉積高溫生長(zhǎng)石墨烯薄膜層，借助泡沫基底的三維多孔骨架，生長(zhǎng)成石墨烯的三維網(wǎng)絡(luò)。三維石墨烯具有體表面積大，導(dǎo)電性佳，質(zhì)量...

詳細(xì)摘要： 材料簡(jiǎn)介： 三維石墨烯網(wǎng)絡(luò)是在泡沫金屬基底上通過(guò)化學(xué)氣相沉積高溫生長(zhǎng)石墨烯薄膜層，借助泡沫基底的三維多孔骨架，生長(zhǎng)成石墨烯的三維網(wǎng)絡(luò)。三維石墨烯具有體表面積大，...

詳細(xì)摘要： 形態(tài)：金屬有機(jī)骨架（MOF）外觀：藍(lán)色粉體粒徑（um）：10-20BET比表面積（m2/g）：≥1172孔隙體積（cm3/g）：0.57孔徑（nm）：0.6質(zhì)量...

詳細(xì)摘要： The 3D Graphene Foam is deposited comformably onto Nickel foam foils by chemical...

詳細(xì)摘要： CVD Graphene sheets have been deposited onto 50 micron thick Cu foils using modi...

詳細(xì)摘要： 1. 制備方法A型：溶劑熱法B型：溶劑熱法+干燥150攝氏度（8小時(shí)） 2. 表征A型：形態(tài)：金屬有機(jī)骨架（MOFs）外觀：粉紫色粒徑：150-400 nmBE...

詳細(xì)摘要： 金屬有機(jī)骨架化合物（Metal Organic Framework）-Zeolitic Imidazolate Framework-8 （ZIF-8）1. 制備...

詳細(xì)摘要： 德國(guó)2DNext大面積機(jī)械剝離單層材料（WSe2, WS2, MoS2）尺寸75*75um尺寸：75*75um德國(guó)2D Next主要提供機(jī)械剝離的超大尺寸二維材...

詳細(xì)摘要： Monolayer molybdenum disulfide （1H-MoS?） flakes have been exfoliated from bulk m...

詳細(xì)摘要： Monolayer molybdenum diselenide （1H-MoSe?） flakes have been exfoliated from bulk...

詳細(xì)摘要： Monolayer Rhenium diselenide flakes have been exfoliated from bulk ReSe? crystal...

詳細(xì)摘要： Monolayer tungsten disulfide （1H-WS?） flakes have been exfoliated from bulk tung...

詳細(xì)摘要： Monolayer tungsten diselenide （1H-WSe?） flakes have been exfoliated from bulk tu...

詳細(xì)摘要： Substrate:Sapphire （c-cut）Quartz （Silica）TEM grids （please supply grids）Thermal ...

詳細(xì)摘要： Newly acquired ion implantation accelerator unit allows 2Dsemiconductors USA to ...