少子壽命是半導體材料和器件的重要參數。它直接反映了材料的質量和器件特性。能夠準確的得到這個參數,對于半導體器件制造具有重要意義。
少子壽命指少子的平均生存時間,壽命標志少子濃度減少到原值的1/e所經歷的時間。對太陽能電池來說,少子壽命越短,電池效率越低。
少子,即少數載流子,是半導體物理的概念。 它相對于多子而言。
半導體材料中有電子和空穴兩種載流子。如果在半導體材料中某種載流子占少數,導電中起到次要作用,則稱它為少子。如:在N型半導體中,空穴是少數載流子,電子是多數載流子;在P型半導體中,空穴是多數載流子,電子是少數載流子。紅外脈沖激光 激發(fā)半導體材料,通過 微波光電導衰減法 ( μ-PCD )檢測電導率變化,從而推算少子壽命。該方法利用紅外激光產生非平衡載流子,微波探測器檢測其發(fā)射/反射信號的指數衰減規(guī)律,通過擬合信號得出壽命值。
影響因素表面復合?:樣品表面狀態(tài)直接影響測試結果,表面缺陷會加速載流子復合,降低有效少子壽命。 ?
?摻雜濃度?:p型或n型摻雜會影響多數載流子濃度,間接影響少子壽命。 ?
?激光功率與波長?:不同波長激光激發(fā)效率不同,功率過高可能破壞樣品,需優(yōu)化參數。 ?測試設備
少子壽命測試儀 支持4種激光波長(355nm-1480nm),可測量20ns至幾十毫秒的壽命范圍,測試硅晶圓片僅需5分鐘。 ?



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