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UNECS-Portable 華南代理ULVAC愛發(fā)科 高速光譜橢偏儀

參考價(jià) 49800
訂貨量 ≥1臺(tái)
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)

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光學(xué)設(shè)備、電子計(jì)測(cè)儀器、科學(xué)儀器、機(jī)械加工設(shè)備、環(huán)境試驗(yàn)設(shè)備、PC周邊用品、作業(yè)工具用品、電源、化學(xué)用品

產(chǎn)地類別 進(jìn)口 價(jià)格區(qū)間 5萬-10萬
應(yīng)用領(lǐng)域 環(huán)保,化工,制藥/生物制藥,綜合

 華南代理ULVAC愛發(fā)科 高速光譜橢偏儀

 華南代理ULVAC愛發(fā)科 高速光譜橢偏儀


高速光譜橢偏儀是一種用于快速測(cè)量薄膜厚度、光學(xué)常數(shù)以及材料微結(jié)構(gòu)的光學(xué)測(cè)量?jī)x器,以下將從其工作原理、主要特點(diǎn)、應(yīng)用領(lǐng)域及部分型號(hào)產(chǎn)品參數(shù)等維度展開介紹:


  • 工作原理

    • 利用偏振光在樣品表面反射時(shí)偏振態(tài)的變化來獲取樣品的信息。當(dāng)已知偏振態(tài)的線偏振光入射到樣品表面時(shí),其在薄膜與基底的界面處發(fā)生反射和折射,反射光的偏振態(tài)(幅度和相位)會(huì)發(fā)生改變。通過測(cè)量反射光的偏振態(tài)變化,通常用復(fù)函數(shù) ρ 來表示,而 ρ 又可以用 ψ 和?分別描述反射光 p 波與 s 波振幅衰減比和相位差,進(jìn)而計(jì)算或擬合出材料的光學(xué)常數(shù)、膜層厚度等參數(shù)。

  • 主要特點(diǎn)

    • 測(cè)量速度快:能夠在短時(shí)間內(nèi)完成大量測(cè)量點(diǎn)的數(shù)據(jù)采集,如 ULVAC 的 UNE CS 系列最快可在 20ms 內(nèi)完成一次測(cè)量,HORIBA 的 UVISEL 相位調(diào)制型光譜橢偏儀 50ms 即可獲得數(shù)據(jù),大大提高了測(cè)量效率,適用于在線監(jiān)測(cè)和快速過程控制。

    • 測(cè)量精度高:可以精確測(cè)量薄膜厚度、折射率、消光系數(shù)等參數(shù),厚度測(cè)量的重復(fù)性可低至 0.1nm,能夠滿足各種高精度測(cè)量需求。

      非接觸式測(cè)量:對(duì)樣品沒有破壞,也不需要真空環(huán)境,不會(huì)對(duì)被測(cè)樣品造成損傷,適用于各種易損或敏感材料的測(cè)量。

    • 光譜范圍寬:覆蓋從紫外到紅外的多個(gè)波段,如 M-2000 系列光譜范圍可從 193nm 延伸到 1690nm,不同的光譜范圍可以提供關(guān)于材料不同的信息,有助于對(duì)各種材料進(jìn)行全面的分析。

    • 多種測(cè)量模式:具備多種測(cè)量模式和功能,如自動(dòng)聚焦、自動(dòng)變角、多點(diǎn) Mapping 測(cè)量等,可根據(jù)不同的測(cè)量需求進(jìn)行靈活配置。

  • 應(yīng)用領(lǐng)域

    • 半導(dǎo)體行業(yè):用于半導(dǎo)體材料的薄膜厚度監(jiān)測(cè)、光刻膠厚度測(cè)量、半導(dǎo)體器件制造過程中的工藝控制等,如監(jiān)測(cè)硅片上氧化層、氮化層、光刻膠等薄膜的厚度和光學(xué)性質(zhì),以確保半導(dǎo)體器件的性能和質(zhì)量。

    • 光學(xué)鍍膜:對(duì)各種光學(xué)薄膜,如增透膜、高反膜、濾光膜等的厚度和折射率進(jìn)行精確測(cè)量和控制,以實(shí)現(xiàn)光學(xué)元件的最佳光學(xué)性能。

    • 光伏領(lǐng)域:在太陽能電池的研發(fā)和生產(chǎn)中,用于測(cè)量光伏材料的薄膜厚度和光學(xué)特性,如非晶硅、多晶硅、碲化鎘、銅銦鎵硒等薄膜材料,有助于優(yōu)化電池結(jié)構(gòu),提高電池的光電轉(zhuǎn)換效率。

    • 顯示行業(yè):用于液晶顯示器、有機(jī)發(fā)光二極管顯示器等顯示器件中薄膜材料的測(cè)量和質(zhì)量控制,如測(cè)量液晶層、有機(jī)發(fā)光層、透明導(dǎo)電電極等薄膜的厚度和光學(xué)常數(shù),確保顯示器件的顯示效果和性能。

    • 材料研究:在新材料的研發(fā)過程中,用于研究材料的光學(xué)性質(zhì)、薄膜生長(zhǎng)過程、材料微結(jié)構(gòu)等,幫助科研人員了解材料的特性,開發(fā)出具有更好性能的新材料。

  • 部分型號(hào)產(chǎn)品參數(shù)

    • 測(cè)量速度:?jiǎn)吸c(diǎn)測(cè)量速度快至 0.3 秒,5 點(diǎn)含移動(dòng)約 10 秒。

    • 光譜范圍:最寬可至 193nm-1690nm。

    • 測(cè)量速度:最快可達(dá) 20ms。

    • 光譜范圍:標(biāo)準(zhǔn)型為 530nm 至 750nm,可見光譜型為 380nm 至 760nm。

    • 測(cè)量速度:可在小于 1 秒的時(shí)間內(nèi)測(cè)量 390 個(gè)以上波長(zhǎng)。

    • 光譜范圍:M-2000 V 為 370nm 至 1000nm;M-2000 U/X 為 245nm 至 1000nm;M-2000 D 為 193nm 至 1000nm,NIR 擴(kuò)展后可達(dá) 1010nm 至 1690nm。

    • 入射角:計(jì)算機(jī)控制的入射角范圍為 20° 至 90°(垂直)或 45° 至 90°(水平)。

    • M-2000 系列

    • UNE CS 系列

    • COSE PV 6.1M




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