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Beneq TFS 200/500 BENEQ原子層沉積系統(tǒng)

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上海麥科威半導(dǎo)體技術(shù)有限公司(Shanghai Makeway Semiconductor LTD)是一家專業(yè)的微納材料、半導(dǎo)體和微電子材料及器件研發(fā)儀器及設(shè)備的供應(yīng)商,所銷售的儀器設(shè)備廣泛用于高校、研究所、以及半導(dǎo)體和微電子領(lǐng)域的高科技企業(yè)。目前總部在上海,香港、南通、深圳、北京分別設(shè)立分公司和辦事處,快速響應(yīng)客戶需求。同時(shí)上海麥科威在快速擴(kuò)展海外市場,并設(shè)立新加坡分公司,輻射東南亞市場。

      上海麥科威半導(dǎo)體技術(shù)有限公司主要銷售產(chǎn)品包括:  - 霍爾效應(yīng)測試儀;  - 快速退火爐;  - 回流焊爐,共晶爐,釬焊爐,真空燒結(jié)爐;  - 電子束蒸發(fā)鍍膜機(jī),熱蒸發(fā)鍍膜機(jī);  - 探針臺,低溫探針臺,微探針臺;  - 金剛石劃片機(jī); - 球焊機(jī),鍥焊機(jī);  - 磁控濺射鍍膜機(jī);  - 原子層沉積系統(tǒng),等離子增強(qiáng)原子層沉積設(shè)備;  - 電化學(xué)C-V剖面濃度分析儀(ECV Profiler); - 掃描開爾文探針系統(tǒng); - 光學(xué)膜厚儀; -貼片機(jī)-PECVD\CVD;-脈沖激光沉積系統(tǒng)-PLD-納米壓?。?等離子清洗機(jī)、去膠機(jī);-反應(yīng)離子刻蝕RIE; - 光刻機(jī)、無掩膜光刻機(jī); - 勻膠機(jī); - 熱板,烤膠板; -少子壽命、太陽能模擬器;-NMR-瞬態(tài)能譜儀-外延沉積-等離子清洗機(jī)-離子注入-劃片機(jī)、裂片機(jī)光刻機(jī)(針尖/電子束光刻機(jī)EBL,紫外光刻機(jī),激光直寫光刻機(jī)),鍍膜機(jī)(磁控濺射機(jī),電子束蒸發(fā)機(jī),化學(xué)沉積機(jī),微波等離子沉積機(jī),原子層沉積機(jī)  等等…

企業(yè)客戶:華為技術(shù)有限公司, 深圳市鵬芯微集成電路制造, 深圳清力技術(shù), 安徽格恩半導(dǎo)體, 蘇州稀晶半導(dǎo)體科技, 矽品半導(dǎo)體, 廈門海辰新能源科科, 中核同創(chuàng)(成都)科技, 洛瑪瑞芯片技術(shù)(常州),偉創(chuàng)力科技, 奧普科星河北科技,廣東五星太陽能,廣東萬和集團(tuán),西安西測股份, 普源精電科技, 普源精電科技股份, 上海蔚來汽車, 北京華脈泰科, 廣醫(yī)東金灣高景太陽能科技, 深圳匯佳成電子, 深圳市化訊半導(dǎo)體材料, 珠海珍迎機(jī)電, 合肥鼎材科技, 山東金晶節(jié)能玻璃, 江蘇云意電氣股份, 廣東風(fēng)華技股份, 浙江中能合控股集團(tuán),固安維信諾,淮安天合光能,浙江老鷹半導(dǎo)體, 四川信通電子科技等。


科研院所/高等院校: 北京航空航天大學(xué), 汕頭大學(xué), 南方醫(yī)科大學(xué), 清華大學(xué), 北京大學(xué), 復(fù)旦大學(xué), 西北工業(yè)大學(xué), 南京醫(yī)科大學(xué), 香港中文大學(xué), 香港城市大學(xué), 蘇州大學(xué), 深圳職業(yè)技術(shù)學(xué)院, 南京大學(xué)合肥國家試驗(yàn)室, 上海交通大學(xué)醫(yī)學(xué)院, 華南理工大學(xué),華東師范大學(xué),江南大學(xué),重慶26所, 深圳大學(xué), 南方科技大學(xué), 深圳技術(shù)大學(xué), 理化技術(shù)研究所, 中國工程物理研究院激光聚變研究中心, 廣東粵港澳大灣區(qū)黃埔材料研究院, 桂林電子科技大學(xué), 上海硅酸鹽研究所, 中國航天五院,中科合肥智慧農(nóng)業(yè)協(xié)同創(chuàng)新研究院等。

 

 

 

 

 

 

 

 

半導(dǎo)體設(shè)備,快速退火爐,原子層沉積,鍵合機(jī),光刻機(jī)

價(jià)格區(qū)間 100萬-200萬 應(yīng)用領(lǐng)域 電子/電池

1.產(chǎn)品概述:

TFS 200 是一款適用于科學(xué)研究和企業(yè)研發(fā)的靈活的 ALD 平臺。 TFS 200 是為多用戶研究環(huán)境中將可能發(fā)生的交叉污染降至低而特別設(shè)計(jì)的。

TFS 200 不僅可以在晶圓,平面物體上鍍膜,還適用于粉末,顆粒,多孔的基底材料,或是有高深徑比的3D物體內(nèi)沉積高保形薄膜。                      

直接和遠(yuǎn)程等離子體沉積 (PEALD) 可作為 TFS 200 的標(biāo)準(zhǔn)選項(xiàng)。等離子體是電容性耦合(CCP),這是當(dāng)?shù)墓I(yè)標(biāo)準(zhǔn)。等離子體選件可為直徑200毫米的基板(面朝上或面朝下)提供直接和遠(yuǎn)程等離子體增強(qiáng)沉積 (PEALD)

2.設(shè)備用途/原理:

設(shè)備用途

原子層沉積(ALD)設(shè)備主要用于半導(dǎo)體制造、光電子、納米技術(shù)和材料科學(xué)等領(lǐng)域。它廣泛應(yīng)用于制造高性能電子器件、光電材料、薄膜電池、傳感器和催化劑等,能夠在復(fù)雜結(jié)構(gòu)上沉積均勻且高質(zhì)量的薄膜。

工作原理

ALD 設(shè)備通過交替引入兩種或多種氣相前驅(qū)體和反應(yīng)氣體,以原子層的方式在基材表面沉積薄膜。每個(gè)前驅(qū)體分子在基材表面吸附并反應(yīng),形成一層薄膜,然后多余的前驅(qū)體和反應(yīng)產(chǎn)物被清除,接著引入下一種氣體。這個(gè)過程持續(xù)進(jìn)行,直到達(dá)到所需的薄膜厚度。由于每一層的沉積都受到嚴(yán)格控制,ALD 技術(shù)能實(shí)現(xiàn)極薄膜層的精確沉積,通常在納米級別,確保薄膜的均勻性和致密性。

3.主要技術(shù)指標(biāo):

循環(huán)周期小于2。在特定的條件下可以小于1。

高深徑比(HAR)選項(xiàng)適用于通孔和多孔的基底材料。

可快速加熱和冷卻的冷壁真空反應(yīng)腔。

安裝在真空反應(yīng)腔的輔助接口可實(shí)現(xiàn)等離子體和在線診斷等。

加載鎖可用于快速更換基底材料并與其他設(shè)備集成。





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