熱原子層沉積技術(shù)，面積可達(dá) 37 平方厘米

大尺寸臺(tái)式熱原子層沉積系統(tǒng)

· 37 平方厘米邊的面板用鋁制腔體(Gen2型)

· 適用于8片六英寸晶圓或4片八英寸晶圓，且具有很好的均勻性(其他晶圓尺寸可以定制)

· 加熱式4端口前體管路(可定制)

· 采用內(nèi)置高功率線(xiàn)圈加熱器進(jìn)行腔室加熱，最高溫度可達(dá)275°C

· 集直接控制與遠(yuǎn)程筆記本控制功能于一體的 PLC/人機(jī)界面系統(tǒng)

· 具有MFC集成腔室關(guān)閉閥的快速響應(yīng)情性氣體吹掃流量控制裝置，適用于高暴露(靜態(tài))生長(zhǎng)模式選項(xiàng)

· 所有為符合半導(dǎo)體S2標(biāo)準(zhǔn)和NFPA-79準(zhǔn)則要求而進(jìn)行的硬件及軟件方面的更新

· 符合半導(dǎo)體S2標(biāo)準(zhǔn)

· 額外的緩慢降泵選項(xiàng)

· 可選的前驅(qū)體溫度檢測(cè)，具有實(shí)時(shí)反饋和脈沖持續(xù)時(shí)間控制功能

· 可選的可燃?xì)怏w罐重量追蹤功能，搭配內(nèi)置液晶顯示屏使用

ALD 設(shè)備的工作原理

 原子層沉積(ALD)系統(tǒng)由幾個(gè)核心組件構(gòu)成:前驅(qū)體源及其反應(yīng)物閥門(mén)、帶有溫度控制平臺(tái)(或夾具)的反應(yīng)腔、惰性氣體以及真空系統(tǒng)(或吹掃系統(tǒng))。該過(guò)程會(huì)交替進(jìn)行前驅(qū)體和反應(yīng)物的引入，每次只引入一種，其間會(huì)有一個(gè)吹掃步驟。這樣可以防止前驅(qū)體在氣相中發(fā)生反應(yīng)，從而確保僅進(jìn)行表面特定的反應(yīng)。其結(jié)果是每個(gè)循環(huán)中形成一層單分子沉積，從而在原子尺度上實(shí)現(xiàn)了對(duì)薄膜生長(zhǎng)的控制。該反應(yīng)具有自限性，這意味著一旦前驅(qū)體與表面發(fā)生反應(yīng)并填充了可用的活性位點(diǎn)(對(duì)于氧化物、羥基等)，反應(yīng)就無(wú)法再繼續(xù)進(jìn)行。

 安瑞克技術(shù)公司開(kāi)發(fā)的臺(tái)式原子層沉積系統(tǒng)操作簡(jiǎn)便、易于維護(hù)，具備優(yōu)良的散熱管理功能、可定制的等離子體源以及軟件驅(qū)動(dòng)的自動(dòng)化功能，能夠支持熱增強(qiáng)型和等離子體增強(qiáng)型原子層沉積工藝。這些工具具有可擴(kuò)展性--從與手套箱兼容的實(shí)驗(yàn)臺(tái)設(shè)備到完整的 12英寸晶圓系統(tǒng)--并且經(jīng)過(guò)精心設(shè)計(jì)，以實(shí)現(xiàn)最高的工藝穩(wěn)定性、易用性，并能融入各種實(shí)驗(yàn)室環(huán)境。

應(yīng)用領(lǐng)域

安瑞克技術(shù)公司ALD 技術(shù)是下一代半導(dǎo)體、儲(chǔ)能設(shè)備、光電子器件以及生物相容性材料發(fā)展的重要基礎(chǔ)。其能夠?qū){米結(jié)構(gòu)進(jìn)行均勻覆蓋的特性使其在以下領(lǐng)域中至關(guān)重要:

· 用于柵極介電層和阻擋層的微電子學(xué)及微機(jī)電系統(tǒng)技術(shù)

· 用于電極和電解質(zhì)涂層的固態(tài)電池和超級(jí)電容器

· 光柵、透鏡和光子結(jié)構(gòu)上的光學(xué)涂層

· 催化作用與燃料電池的開(kāi)發(fā)，其中原子層沉積技術(shù)能夠?qū)崿F(xiàn)可控的表面改性

· 需要具有耐腐蝕性且生物惰性的薄膜的生物醫(yī)學(xué)設(shè)備

· 易降解材料的表面鈍化與封裝處理

隨著該行業(yè)朝著更小、更快、更高效的設(shè)備方向發(fā)展，原子層沉積技術(shù)的重要性也與日俱增。

客戶(hù)案例

*100多家用戶(hù)，多家重復(fù)購(gòu)買(mǎi)的用戶(hù)：

? 哈佛大學(xué)

? 赫爾辛基大學(xué)（Professor Mikko Ritala and Matti Putkonen）

? 泛林集團(tuán) (LAM) （6臺(tái)以上）

? 牛津大學(xué)（2臺(tái)以上， Prof Sebastian Bonilla）

? 國(guó)立材料科學(xué)研究所(日本，多臺(tái))

? 東京大學(xué)(多臺(tái))

? 早稻田大學(xué)(多臺(tái))

? 西北大學(xué)(美國(guó))

? 劍橋大學(xué)(英國(guó))

? 萊斯大學(xué)

? 英屬哥倫比亞大學(xué)(加拿大)

? ENS-Paris(法國(guó)、高等師范學(xué)院)

? 北京量子研究院

? 北京大學(xué)

? 布里斯托大學(xué)（英國(guó)）

? 謝菲爾德大學(xué)等等

重復(fù)購(gòu)買(mǎi)客戶(hù)的具體應(yīng)用

1.  早稻田大學(xué) (Waseda University) (日本東京) - 傳感器、表面改性、納米壓印光刻、*通孔制造 (AIST) – 日本茨城縣

2.  早稻田大學(xué) (Waseda University) (日本東京) – 系統(tǒng) #2；類(lèi)似應(yīng)用。日本神奈川縣橫濱國(guó)立大學(xué) (Yokohama National University)

3. 國(guó)立材料科學(xué)研究所 (NIMS) #1 (日本茨城縣) - 表面和薄膜中的聲子；原子尺度低維等離激元學(xué)；納米材料中的自旋軌道分裂

4. 國(guó)立材料科學(xué)研究所 (NIMS) #2 (日本茨城縣) - 碳納米管中的自旋相關(guān)輸運(yùn)；納米間隙制造和分子輸運(yùn)；石墨烯中的帶隙工程；有機(jī)晶體管

5. 私人公司 (Private Company) (美國(guó)俄勒岡州波特蘭) - TEM 樣品制備；HfO2, Al2O3, Ta2O5

6. Precision TEM (美國(guó)加利福尼亞州圣克拉拉) - TEM 樣品制備；HfO2, Al2O3

7. 私人公司 TK (Private Company TK) (日本宮城縣) - TEM 樣品制備

8. 私人公司 (Private Company) (美國(guó)俄勒岡州波特蘭) - TEM 樣品制備；HfO2, Al2O3, Ta2O5

9. 東京大學(xué) (University of Tokyo) (日本) – * ALD 工藝

10. 東京大學(xué) (University of Tokyo) – 日本東京 – Dr. Onaya

11. 泛林集團(tuán) (LAM Research) – 美國(guó)俄勒岡州圖瓦拉丁 (Tualatin)

12. 泛林集團(tuán) (LAM) 系統(tǒng) #2 – 美國(guó)俄勒岡州圖瓦拉丁

13. 泛林集團(tuán) (LAM) 系統(tǒng) #3 – 美國(guó)俄勒岡州圖瓦拉丁

14. 牛津大學(xué) (University of Oxford) – 英國(guó)牛津 - Prof Sebastian Bonilla

15. 德島大學(xué) (Tokushima University) (日本)

16. 赫爾辛基大學(xué) (University of Helsinki) (芬蘭) Professor Mikko Ritala and Matti Putkonen

17. 應(yīng)用材料公司 (AMAT - Applied Materials) – 美國(guó)

18. 牛津大學(xué) (University of Oxford) (英國(guó)牛津)