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MKW-3800 薄膜應(yīng)力測試儀

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上海麥科威半導體技術(shù)有限公司(Shanghai Makeway Semiconductor LTD)是一家專業(yè)的微納材料、半導體和微電子材料及器件研發(fā)儀器及設(shè)備的供應(yīng)商,所銷售的儀器設(shè)備廣泛用于高校、研究所、以及半導體和微電子領(lǐng)域的高科技企業(yè)。目前總部在上海,香港、南通、深圳、北京分別設(shè)立分公司和辦事處,快速響應(yīng)客戶需求。同時上海麥科威在快速擴展海外市場,并設(shè)立新加坡分公司,輻射東南亞市場。

      上海麥科威半導體技術(shù)有限公司主要銷售產(chǎn)品包括:  - 霍爾效應(yīng)測試儀;  - 快速退火爐;  - 回流焊爐,共晶爐,釬焊爐,真空燒結(jié)爐;  - 電子束蒸發(fā)鍍膜機,熱蒸發(fā)鍍膜機;  - 探針臺,低溫探針臺,微探針臺;  - 金剛石劃片機; - 球焊機,鍥焊機;  - 磁控濺射鍍膜機;  - 原子層沉積系統(tǒng),等離子增強原子層沉積設(shè)備;  - 電化學C-V剖面濃度分析儀(ECV Profiler); - 掃描開爾文探針系統(tǒng); - 光學膜厚儀; -貼片機-PECVD\CVD;-脈沖激光沉積系統(tǒng)-PLD-納米壓?。?等離子清洗機、去膠機;-反應(yīng)離子刻蝕RIE; - 光刻機、無掩膜光刻機; - 勻膠機; - 熱板,烤膠板; -少子壽命、太陽能模擬器;-NMR-瞬態(tài)能譜儀-外延沉積-等離子清洗機-離子注入-劃片機、裂片機光刻機(針尖/電子束光刻機EBL,紫外光刻機,激光直寫光刻機),鍍膜機(磁控濺射機,電子束蒸發(fā)機,化學沉積機,微波等離子沉積機,原子層沉積機  等等…

企業(yè)客戶:華為技術(shù)有限公司, 深圳市鵬芯微集成電路制造, 深圳清力技術(shù), 安徽格恩半導體, 蘇州稀晶半導體科技, 矽品半導體, 廈門海辰新能源科科, 中核同創(chuàng)(成都)科技, 洛瑪瑞芯片技術(shù)(常州),偉創(chuàng)力科技, 奧普科星河北科技,廣東五星太陽能,廣東萬和集團,西安西測股份, 普源精電科技, 普源精電科技股份, 上海蔚來汽車, 北京華脈泰科, 廣醫(yī)東金灣高景太陽能科技, 深圳匯佳成電子, 深圳市化訊半導體材料, 珠海珍迎機電, 合肥鼎材科技, 山東金晶節(jié)能玻璃, 江蘇云意電氣股份, 廣東風華技股份, 浙江中能合控股集團,固安維信諾,淮安天合光能,浙江老鷹半導體, 四川信通電子科技等。


科研院所/高等院校: 北京航空航天大學, 汕頭大學, 南方醫(yī)科大學, 清華大學, 北京大學, 復旦大學, 西北工業(yè)大學, 南京醫(yī)科大學, 香港中文大學, 香港城市大學, 蘇州大學, 深圳職業(yè)技術(shù)學院, 南京大學合肥國家試驗室, 上海交通大學醫(yī)學院, 華南理工大學,華東師范大學,江南大學,重慶26所, 深圳大學, 南方科技大學, 深圳技術(shù)大學, 理化技術(shù)研究所, 中國工程物理研究院激光聚變研究中心, 廣東粵港澳大灣區(qū)黃埔材料研究院, 桂林電子科技大學, 上海硅酸鹽研究所, 中國航天五院,中科合肥智慧農(nóng)業(yè)協(xié)同創(chuàng)新研究院等。

 

 

 

 

 

 

 

 

半導體設(shè)備,快速退火爐,原子層沉積,鍵合機,光刻機

具備三維翹曲(平整度)及薄膜應(yīng)力的檢測功能,適用于半導體晶圓生產(chǎn)、半導體制程工藝開發(fā)、玻璃及陶瓷晶圓生產(chǎn),尤其具有測量整面翹曲曲率分布的能力。

優(yōu)勢

?? 全口徑均勻采樣測量,采樣間隔最少可至0.1mm

?? 同時具備翹曲測量及應(yīng)力測量功能

?? 全直觀展現(xiàn)薄膜導致的晶圓形變,可計算整面應(yīng)力mapping和任意角度的曲率及應(yīng)力

?? 全豐富的軟件分析功能,包括:三維翹曲圖、晶圓翹曲參數(shù)統(tǒng)計(BOW,WARP等)、ROI分析、薄膜應(yīng)力及分布、應(yīng)力隨時間變化、薄膜應(yīng)力變溫測量、曲率計算、多項式擬合、空間濾波等多種后處理算法。

 

適用對象

??  2-8 英寸透明、半透明或非透明的拋光晶圓(硅、砷化鎵、鉭酸鋰、玻璃、藍寶石、磷化銦、碳化硅、氮化鎵等材質(zhì))、鍵合晶圓、圖形晶圓、方形玻璃等。

?? 可檢測經(jīng)過薄膜工藝處理后的透明、半透明或非透明表面,薄膜材質(zhì)包含且不限于:Si、 SiO2、SiN、三氧化二鋁、光刻膠、金屬薄膜、膠黏劑、納米高分子膜、有機/無機雜化膜等。

 

 

適用領(lǐng)域

?? 半導體及玻璃晶圓的生產(chǎn)和質(zhì)量檢查

?? 半導體薄膜工藝的研究與開發(fā)

?? 半導體制程和封裝減薄工藝的過程控制和故障分析

 

測量原理

1. 晶圓制程中會在晶圓表面反復沉積薄膜,基板與薄膜材料特性的差異導致晶圓翹曲,翹曲和薄膜應(yīng)力會對工藝良率產(chǎn)生重要影響

2. 采用結(jié)構(gòu)光反射成像方法測量晶圓的三維翹曲分布,通過翹曲曲率半徑測量來推算薄膜應(yīng)力分布,具有非接觸、免機械掃描和高采樣率特點,6英寸晶圓全口徑測量時間低于30s

3. 通過Stoney公式及相關(guān)模型計算晶圓應(yīng)力分布

 

MKW-3800 技術(shù)規(guī)格

 

項目參數(shù)

測量對象2英寸-8英寸拋光/圖形晶圓

采樣間隔均勻全口徑采樣,最小采樣間隔0.1mm

測量時間單次測量時間 <30s (6英寸晶圓全口徑)

三維翹曲翹曲測量范圍0.5μm-5000μm*

重復性0.2μm或1%精度0.5μm或1.5%

薄膜應(yīng)力應(yīng)力測量范圍1 MPa - 10000 MPa

曲率測量范圍0.5m-10000m

曲率半徑重復精度<1% 1σ (@曲率半徑25 m)

薄膜應(yīng)力重復精度1.5MPa或1%

工作軟件Stress Mapper 軟件:采圖、測量控制及計算分析

軟件功能三維翹曲顯示、晶圓翹曲參數(shù)統(tǒng)計(BOW,WARP等)、薄膜應(yīng)力及分布、時變穩(wěn)定性分析、多種擬合算法、空間濾波算法等

 

上海麥科威晶圓翹曲應(yīng)力測量儀將全口徑翹曲、應(yīng)力、表面瑕疵等分析整合進入每一次測量,確保我們的客戶能夠快速確認工藝。

 

 

 

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