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IMC-200 離子注入機(jī)/法國(guó)IBS

參考價(jià) 12000000
訂貨量 ≥1
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)

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上海麥科威半導(dǎo)體技術(shù)有限公司(Shanghai Makeway Semiconductor LTD)是一家專業(yè)的微納材料、半導(dǎo)體和微電子材料及器件研發(fā)儀器及設(shè)備的供應(yīng)商,所銷售的儀器設(shè)備廣泛用于高校、研究所、以及半導(dǎo)體和微電子領(lǐng)域的高科技企業(yè)。目前總部在上海,香港、南通、深圳、北京分別設(shè)立分公司和辦事處,快速響應(yīng)客戶需求。同時(shí)上海麥科威在快速擴(kuò)展海外市場(chǎng),并設(shè)立新加坡分公司,輻射東南亞市場(chǎng)。

      上海麥科威半導(dǎo)體技術(shù)有限公司主要銷售產(chǎn)品包括:  - 霍爾效應(yīng)測(cè)試儀;  - 快速退火爐;  - 回流焊爐,共晶爐,釬焊爐,真空燒結(jié)爐;  - 電子束蒸發(fā)鍍膜機(jī),熱蒸發(fā)鍍膜機(jī);  - 探針臺(tái),低溫探針臺(tái),微探針臺(tái);  - 金剛石劃片機(jī); - 球焊機(jī),鍥焊機(jī);  - 磁控濺射鍍膜機(jī);  - 原子層沉積系統(tǒng),等離子增強(qiáng)原子層沉積設(shè)備;  - 電化學(xué)C-V剖面濃度分析儀(ECV Profiler); - 掃描開爾文探針系統(tǒng); - 光學(xué)膜厚儀; -貼片機(jī)-PECVD\CVD;-脈沖激光沉積系統(tǒng)-PLD-納米壓?。?等離子清洗機(jī)、去膠機(jī);-反應(yīng)離子刻蝕RIE; - 光刻機(jī)、無掩膜光刻機(jī); - 勻膠機(jī); - 熱板,烤膠板; -少子壽命、太陽(yáng)能模擬器;-NMR-瞬態(tài)能譜儀-外延沉積-等離子清洗機(jī)-離子注入-劃片機(jī)、裂片機(jī)光刻機(jī)(針尖/電子束光刻機(jī)EBL,紫外光刻機(jī),激光直寫光刻機(jī)),鍍膜機(jī)(磁控濺射機(jī),電子束蒸發(fā)機(jī),化學(xué)沉積機(jī),微波等離子沉積機(jī),原子層沉積機(jī)  等等…

企業(yè)客戶:華為技術(shù)有限公司, 深圳市鵬芯微集成電路制造, 深圳清力技術(shù), 安徽格恩半導(dǎo)體, 蘇州稀晶半導(dǎo)體科技, 矽品半導(dǎo)體, 廈門海辰新能源科科, 中核同創(chuàng)(成都)科技, 洛瑪瑞芯片技術(shù)(常州),偉創(chuàng)力科技, 奧普科星河北科技,廣東五星太陽(yáng)能,廣東萬和集團(tuán),西安西測(cè)股份, 普源精電科技, 普源精電科技股份, 上海蔚來汽車, 北京華脈泰科, 廣醫(yī)東金灣高景太陽(yáng)能科技, 深圳匯佳成電子, 深圳市化訊半導(dǎo)體材料, 珠海珍迎機(jī)電, 合肥鼎材科技, 山東金晶節(jié)能玻璃, 江蘇云意電氣股份, 廣東風(fēng)華技股份, 浙江中能合控股集團(tuán),固安維信諾,淮安天合光能,浙江老鷹半導(dǎo)體, 四川信通電子科技等。


科研院所/高等院校: 北京航空航天大學(xué), 汕頭大學(xué), 南方醫(yī)科大學(xué), 清華大學(xué), 北京大學(xué), 復(fù)旦大學(xué), 西北工業(yè)大學(xué), 南京醫(yī)科大學(xué), 香港中文大學(xué), 香港城市大學(xué), 蘇州大學(xué), 深圳職業(yè)技術(shù)學(xué)院, 南京大學(xué)合肥國(guó)家試驗(yàn)室, 上海交通大學(xué)醫(yī)學(xué)院, 華南理工大學(xué),華東師范大學(xué),江南大學(xué),重慶26所, 深圳大學(xué), 南方科技大學(xué), 深圳技術(shù)大學(xué), 理化技術(shù)研究所, 中國(guó)工程物理研究院激光聚變研究中心, 廣東粵港澳大灣區(qū)黃埔材料研究院, 桂林電子科技大學(xué), 上海硅酸鹽研究所, 中國(guó)航天五院,中科合肥智慧農(nóng)業(yè)協(xié)同創(chuàng)新研究院等。

 

 

 

 

 

 

 

 

半導(dǎo)體設(shè)備,快速退火爐,原子層沉積,鍵合機(jī),光刻機(jī)

尺寸 8寸

等離子中束流離子注入機(jī)產(chǎn)品介紹:

離子注入機(jī)由離子源、質(zhì)量分析器、加速器、四級(jí)透鏡、掃描系統(tǒng)和靶室組成,可以根據(jù)實(shí)際需要省去次要部位。離子源是離子注入機(jī)的主要部位,作用是把需要注入的元素氣態(tài)粒子電離成離子,決定要注入離子的種類和束流強(qiáng)度。離子源直流放電或高頻放電產(chǎn)生的電子作為轟擊粒子,當(dāng)外來電子的能量高于原子的電離電位時(shí),通過碰撞使元素發(fā)生電離。碰撞后除了原始電子外,還出現(xiàn)正電子和二次電子。正離子進(jìn)入質(zhì)量分析器選出需要的離子,再經(jīng)過加速器獲得較高能量,由四級(jí)透鏡聚焦后進(jìn)入靶室,進(jìn)行離子注入。離子注入機(jī)/法國(guó)IBS

離子注入機(jī)/法國(guó)IBS是集成電路制造前工序中的關(guān)鍵設(shè)備,離子注入是對(duì)半導(dǎo)體表面附近區(qū)域進(jìn)行摻雜的技術(shù),其目的是改變半導(dǎo)體的載流子濃度和導(dǎo)電類型。離子注入與常規(guī)熱摻雜工藝相比可對(duì)注入劑量、注入角度、注入深度、橫向擴(kuò)散等方面進(jìn)行精確的控制,克服了常規(guī)工藝的限制,提高了電路的集成度、開啟速度、成品率和壽命,降低了成本和功耗。離子注入機(jī)廣泛用于摻雜工藝,可以滿足淺結(jié)、低溫和精確控制等要求,已成為集成電路制造工藝中的關(guān)鍵裝備。

等離子中束流離子注入機(jī)特點(diǎn):

?精確控制離子束流

?精確控制加速電壓

?占地小,操作簡(jiǎn)單,運(yùn)行成本低

?特別適合于研發(fā)應(yīng)用

?適用于4”~6”晶片,小可用于1*1cm2樣品(室溫)

?4”熱注入模式,高溫度可達(dá)600度

?2個(gè)帶有蒸發(fā)器的Freeman離子源,可使溫度達(dá)750度

?1個(gè)Bernas離子源

?非凡的鋁注入能力

?一個(gè)主氣箱,配有4個(gè)活性氣體管路;一個(gè)副氣箱,配有4個(gè)中性氣體管路

?高價(jià)樣品注入能力

?注入角0~15度

?IBS的矢量掃描系統(tǒng)

?手動(dòng)裝載/卸載用于標(biāo)準(zhǔn)注入和熱注入,自動(dòng)25片cassette裝載用于標(biāo)準(zhǔn)腔室

?遠(yuǎn)程操作控制接觸屏(5米鏈接線纜)

?輻射低于0.6usv/hour

離子注入機(jī)/法國(guó)IBS工藝性能:

?2~210keV

?束流:4”晶片100keV時(shí),大于900uA (As, P),大于450uA (B)

?劑量范圍:1*1011*1018~at/cm2

?片內(nèi)非均勻性:1s<=1%(帶有1000埃氧化層的4寸硅,注B,100kev,1*1014at/cm2

?片間均勻性:1s≤1%

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