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PECVD-601/801/1201 化學(xué)氣相沉積(PECVD)

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化學(xué)氣相沉積氣相沉積PECVD

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北京中科復(fù)華科技有限公司是一家致力于為半導(dǎo)體領(lǐng)域和微納米科學(xué)領(lǐng)域提供綜合性解決方案,為全國各大高校、科研院所及企事業(yè)單位提供的半導(dǎo)體設(shè)備儀器和微納米科學(xué)儀器,擁有一支經(jīng)驗豐富、技術(shù)過硬的技術(shù)團隊。能夠出色地完成售前、售中、售后的服務(wù)。   未來公司將不斷和引進在微納米科學(xué)領(lǐng)域中起重要作用的新儀器和新產(chǎn)品,同時也與全國各所的大學(xué)、學(xué)院和科研院所建立了良好的合作關(guān)系,致力于把具有市場前景的科研成果推向市場。愿與中、外同仁廣泛合作, 為中國的教育與科研事業(yè)在廣范圍、高層次上提供服務(wù)?!?/span>

納米圖形發(fā)生器,離子束刻蝕/反應(yīng)離子刻蝕/感應(yīng)耦合等離子刻蝕 磁控濺射/氣相沉積/電子束蒸發(fā)鍍膜、ALD/MBE/MOCVD 光刻機、去膠設(shè)備等

應(yīng)用方向:科研與教學(xué)

產(chǎn)品優(yōu)勢: 高性能薄膜制備

產(chǎn)品配置:

樣片數(shù)量及尺寸:1片Ф6英寸

沉積材料:包括并不限于硅基(Si)薄膜、碳基(C)薄膜、硅鍺合金(SiGe)、鎢硅合金(WSi2)、W、SiC。

沉積腔體:高真空系統(tǒng)

沉積不均勻性:±3%-±6%

沉積速率:20-600nm/min(視具體材料與工藝)

工作臺:可升降,高度可調(diào)

加熱:常規(guī)加熱,可選高溫加熱

電源配置:射頻;直流偏壓

氣路數(shù)量與種類:標(biāo)配4路氣路 或 用戶選配 

光學(xué)性能監(jiān)測:可選配橢偏儀在線監(jiān)測系統(tǒng)

漸變折射率薄膜制備:可選配快速流量變化與控制系統(tǒng)

操作模式:全自動+半自動控制

類似產(chǎn)品:帶預(yù)真空室(PECVD-8100)




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