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化工儀器網(wǎng)>產(chǎn)品展廳>半導(dǎo)體行業(yè)專用儀器>集成電路測試與分選設(shè)備>探針臺>qirui 原子層沉積系統(tǒng)

qirui 原子層沉積系統(tǒng)

具體成交價以合同協(xié)議為準
  • 公司名稱 上海騏銳信息科技有限公司
  • 品牌 其他品牌
  • 型號 qirui
  • 產(chǎn)地 上海
  • 廠商性質(zhì) 經(jīng)銷商
  • 更新時間 2020/11/1 0:02:57
  • 訪問次數(shù) 3139
產(chǎn)品標簽

MPS微探針臺

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上海騏銳信息科技有限公司專注于行業(yè)領(lǐng)域,高低溫介電常數(shù)/高低溫下電性能測試系統(tǒng)/工業(yè)自動化/精密儀器/航空航天高性能材料測試系統(tǒng)、傳感器生產(chǎn)與技術(shù)服務(wù)。我們以技術(shù)創(chuàng)新為核心驅(qū)動力,致力于為客戶提供高效、智能、定制化的設(shè)備解決方案,助力全球客戶提升生產(chǎn)效率、優(yōu)化產(chǎn)品質(zhì)量并實現(xiàn)可持續(xù)發(fā)展。

核心技術(shù)優(yōu)勢:

? 研發(fā)實力

擁有一支由資深工程師、行業(yè)專家及高校科研團隊組成的復(fù)合型研發(fā)團隊,累計獲得多項發(fā)明專利及實用新型專利。

? 技術(shù)亮點

自主研發(fā)核心產(chǎn)品技術(shù),如:高低溫下介電常數(shù)/材料電性能高低溫測試/模塊化設(shè)備架構(gòu)/能耗優(yōu)化系統(tǒng)等。

采用數(shù)字化仿真/工業(yè)大數(shù)據(jù)分析/虛擬調(diào)試等先進技術(shù),縮短研發(fā)周期30%以上。

? 產(chǎn)學研合作

與高校/科研院所名稱建立合作,共同攻關(guān)行業(yè)關(guān)鍵技術(shù)難題。

 

產(chǎn)品與服務(wù)體系:

?? 核心產(chǎn)品線

1. 智能生產(chǎn)線集成:面向制造業(yè)的自動化裝配、檢測及自動化測試系統(tǒng)。

2. 專用設(shè)備定制:材料測試系統(tǒng)、半導(dǎo)體精密加工設(shè)備、新能源電池模組封裝設(shè)備等。

3. 智能運維平臺:設(shè)備遠程監(jiān)控、預(yù)測性維護及數(shù)據(jù)分析服務(wù)。

?? 服務(wù)模式

- 全生命周期支持:從需求分析、方案設(shè)計到安裝調(diào)試、售后維保的一站式服務(wù)。

 

成功案例

研發(fā)的設(shè)備型號獲獎項/認證

服務(wù)覆蓋行業(yè)領(lǐng)域,如:汽車制造/生物醫(yī)藥/光伏新能源頭部企業(yè)

我公司與以下國內(nèi)外廠商建立了長期合作關(guān)系:日本安立公司、美國泰克Tektronix 公司、南京盛普、Sample 公司 、美國福祿克Fluke 公司、北京普源精電 、Rigol公司、美國安捷侖Agilent公司、中國臺灣茂迪Motech公司、美國艾法斯 Aeroflex公司、 中國臺灣固緯Goodwill公司、美國吉時利Keithley公司、日本巖崎Iwatsu公司、美國國家儀器NI公司、日本愛德萬 Advantest公司、美國Magtrol公司、德國惠美Hameg公司、韓國Tescom公司、安徽41所、韓國金進 Jungjin公司、常州同惠等。

 

 

電子儀器儀表 材料測試

產(chǎn)地類別 進口 應(yīng)用領(lǐng)域 化工,能源,電子/電池,包裝/造紙/印刷,電氣

原子層沉積系統(tǒng)

原子層沉積系統(tǒng),包括:傳統(tǒng)的熱原子層沉積系統(tǒng)(TALD)、等離子增強原子層沉積系統(tǒng)(PEALD)、粉末樣品的原子層沉積系統(tǒng)(Power-ALD)。

儀器簡介:
原子層沉積(Atomic Layer Deposition,ALD),也稱為原子層外延(Atomic Layer Epitaxy,ALE),或原子層化學氣相沉積(Atomic Layer Chemical Vapor Deposition,ALCVD)。
原子層沉積是在一個加熱反應(yīng)的襯底上連續(xù)引入至少兩種氣相前驅(qū)體源,化學吸附至表面飽和時自動終止,適當?shù)倪^程溫度阻礙了分子在表面的物理吸附。一個基本的原子層沉積循環(huán)包括四個步驟:脈沖A,清洗A,脈沖B和清洗B。沉積循環(huán)不斷重復(fù)直至獲得所需的薄膜厚度,是制作納米結(jié)構(gòu)從而形成納米器件的工具。
ALD的優(yōu)點包括:
1. 可以通過控制反應(yīng)周期數(shù)控制薄膜的厚度,從而達到原子層厚度精度的薄膜;
2. 由于前驅(qū)體是飽和化學吸附,保證生成大面積均勻性的薄膜;
3. 可生成*的三維保形性化學計量薄膜,作為臺階覆蓋和納米孔材料的涂層;
4. 可以沉積多組份納米薄層和混合氧化物;
5. 薄膜生長可在低溫下進行(室溫到400度以下);
6. 可廣泛適用于各種形狀的襯底;
7. 原子層沉積生長的金屬氧化物薄膜可用于柵極電介質(zhì)、電致發(fā)光顯示器絕緣體、電容器電介質(zhì)和MEMS器件,生長的金屬氮化物薄膜適合于擴散勢壘。


 
技術(shù)參數(shù):
基片尺寸:4英寸、6英寸、8英寸、12英寸;
加熱溫度:25℃—400℃(可選配更高);
均勻性: < 1%;
前驅(qū)體數(shù):4路(可選配6路);
兼容性: 可兼容100級超凈室;
尺寸:950mm x 700mm;
ALD,PE-ALD,粉末ALD技術(shù);


 
原子層沉積ALD的應(yīng)用包括:
1) High-K介電材料 (Al2O3, HfO2, ZrO2, PrAlO, Ta2O5, La2O3);
2) 導(dǎo)電門電極 (Ir, Pt, Ru, TiN);
3) 金屬互聯(lián)結(jié)構(gòu) (Cu, WN, TaN,Ru, Ir);
4) 催化材料 (Pt, Ir, Co, TiO2, V2O5);
5) 納米結(jié)構(gòu) (All ALD Material);
6) 生物醫(yī)學涂層 (TiN, ZrN, TiAlN, AlTiN);
7) ALD金屬 (Ru, Pd, Ir, Pt, Rh, Co, Cu, Fe, Ni);
8) 壓電層 (ZnO, AlN, ZnS);
9) 透明電學導(dǎo)體 (ZnO:Al, ITO);
10) 紫外阻擋層 (ZnO, TiO2);
11) OLED鈍化層 (Al2O3);
12) 光子晶體 (ZnO, ZnS:Mn, TiO2, Ta3N5);
13) 防反射濾光片 (Al2O3, ZnS, SnO2, Ta2O5);
14) 電致發(fā)光器件 (SrS:Cu, ZnS:Mn, ZnS:Tb, SrS:Ce);
15) 工藝層如蝕刻柵欄、離子擴散柵欄等 (Al2O3, ZrO2);
16) 光學應(yīng)用如太陽能電池、激光器、光學涂層、納米光子等 (AlTiO, SnO2, ZnO);
17) 傳感器 (SnO2, Ta2O5);
18) 磨損潤滑劑、腐蝕阻擋層 (Al2O3, ZrO2, WS2);


 
目前可以沉積的材料包括:
1) 氧化物: Al2O3, TiO2, Ta2O5, ZrO2, HfO2, SnO2, ZnO, La2O3, V2O5, SiO2,...
2) 氮化物: AlN, TaNx, NbN, TiN, MoN, ZrN, HfN, GaN, ...
3) 氟化物: CaF2, SrF2, ZnF2, ...
4) 金屬: Pt, Ru, Ir, Pd, Cu, Fe, Co, Ni, ...
5) 碳化物: TiC, NbC, TaC, ...
6) 復(fù)合結(jié)構(gòu)材料: AlTiNx, AlTiOx, AlHfOx, SiO2:Al, HfSiOx, ...
7) 硫化物: ZnS, SrS, CaS, PbS, ...



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