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控制閥選型的原則根據工藝條件，選擇合適的結構形式和材料。根據工藝對象的特點，選擇控制閥的流量特性。根據工藝操作參數，選擇合適的控制閥口徑尺寸。根據工藝過程的要求，選擇所需要的輔助裝置。合理選擇執(zhí)行機構。執(zhí)行機構的響應速度應能滿足工藝對控制行程時間的要求：所選用的控制閥執(zhí)行機構應能滿面足閥門行程和工藝對泄露量等級的要求。在某些場合，如選用壓力控制閥(包括放空閥)，應考慮實際可能的壓差進行適當的放大，即要求執(zhí)行機構能提供較大的作用力。
質譜分析是一種測量離子質荷比（質量-電荷比）的分析方法，其基本原理 是使試樣中各組分在離子源中發(fā)生電離，生成不同荷質比的帶電荷的離子，經加速電場的作用，形成離子束，進入質量分析器。在質量分析器中，再利用電場和磁場使發(fā)生相反的速度色散，將它們分別聚焦而得到質譜圖，
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reverseosmosisfilm反滲透技術原理是在高于溶液滲透壓的作用下，依據其他物質不能透過半透膜而將這些物質和水分離開來。反滲透膜的膜孔徑非常小，因此能夠有效地去除水中的溶解鹽類、膠體、微生物、有機物等。系統(tǒng)具有水質好、耗能低、無污染、工藝簡單、操作簡便等優(yōu)點。反滲透膜是實現反滲透的核心元件，是一種模擬生物半透膜制成的具有一定特性的人工半透膜。一般用高分子材料制成。如醋酸纖維素膜、芳香族聚酰肼膜、芳香族聚酰胺膜。
種類

除上述分類外，還可以從質譜儀所用的質量分析器的不同，把質譜儀分為雙聚焦質譜儀，四極桿質譜儀，飛行時間質譜儀，離子阱質譜儀，傅立葉變換質譜儀等。

PWM占空比通過電流檢測放大器實現反饋控制。INJ1結束后，Q4關斷，L1截止，Q1導通，1V開始向C1充電。當發(fā)動機經過一個工作循環(huán)，ECU輸出后缸引燃噴油脈寬INJ3時，電容C1已充滿電，這時部分重復上述工作過程，Q5選缸導通，電磁閥L3工作，電磁閥L4截止。電磁閥的電流波形圖，從中可以看到電磁閥的整個工作過程。A點時刻C1開始放電，電磁閥電流迅速上升；在B點時刻電磁閥電流到達峰值電流約3A；至C點時刻C1電壓從1V降到12V，12V電源開始提供電流，電路中設置了保持電流1A，D點時刻噴油脈寬結束，電磁閥關斷，電容C1開始充電；E點時刻電容C1充滿,電壓上升到1V。