CP-4是世界zui通用和的臺式化學機械拋光設備（CMP），可以很好的滿足您的研發(fā)需求。*軟件控制，可以對直徑4英寸的晶圓和磁盤進行拋光。 CETR-CP-4可檢測原位摩擦力，摩擦系數(shù)，溫度，下壓力，磨損，聲發(fā)射等，可以模擬所有的參數(shù)，如速度，負載和流量，來模仿一個大的CMP系統(tǒng)。

用于化學機械拋光的研究和開發(fā)的各個方面
• 測試和開發(fā)各種不同的微粒，材料，濃度，氧化劑，抑制劑等的拋光液
• 測試和開發(fā)不同的材料，溝槽形狀，尺寸，彈性，壽命等
• 測試和發(fā)展拋光墊調節(jié)裝置來優(yōu)化拋光墊的損耗率，修整，效率等
• 開發(fā)CMP定位環(huán)材料來優(yōu)化摩擦，磨損，壽命等
• 測試去除率，重復性缺陷，工藝優(yōu)化等，研究或開發(fā)各種應用的各種材料
• 半導體方面 - 銅，Ta, TaN, Al, Si, SiO, Ru, WC, solar cells, PVD, CVD, 薄膜等
• 化合物半導體 - 砷化鎵，銦，磷化物，汞，鎘
• 應用生物材料 - 牙，骨，鈦，鋼鐵制品等。
• 光電材料 – LED，藍寶石，紅外窗口拋光激光材料，顯微鏡頭，微光學，鈮酸鋰，鉭酸鋰，磷酸氧鈦鉀等。

同時實時監(jiān)測及處理
• 通過在晶圓墊和調節(jié)墊界面處的擁有的傳感器，測量負載和摩擦力，
• 通過在晶圓墊和調節(jié)墊界面處的擁有的傳感器和放大器，測量接觸噪聲
• 使用聲波表征的缺陷、劃痕，并在加工過程中分層
• 監(jiān)測流入的拋光液，拋光片表面和流出廢液的溫度