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薄膜生長(zhǎng)速率測(cè)試儀

2025-07-17

產(chǎn)      地:
暫無(wú)
所在地區(qū):
北京北京市
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薄膜生長(zhǎng)速率測(cè)試儀,采用無(wú)損的激光技術(shù)實(shí)時(shí)原位檢測(cè)薄膜沉積速率、薄膜厚度以及光學(xué)常量(n&k),可廣泛的應(yīng)用于金屬有機(jī)化學(xué)氣象沉積MOCVD、分子束外延MBE、濺射系統(tǒng)Sputtering和蒸發(fā)系統(tǒng)等薄膜沉積過(guò)程的實(shí)時(shí)原位監(jiān)控。

薄膜生長(zhǎng)速率測(cè)試儀

主要特點(diǎn):

*實(shí)時(shí)薄膜沉積速率、薄膜厚度和光學(xué)常數(shù)(n&k)分析,同時(shí)標(biāo)準(zhǔn)偏差統(tǒng)計(jì)分析;

*自動(dòng)程序化校準(zhǔn);

*實(shí)時(shí)反饋系統(tǒng);

*程序控制,可實(shí)時(shí)多層薄膜沉積監(jiān)控和控制;

*多Wafer監(jiān)控功能;

*Wafer基底旋轉(zhuǎn)監(jiān)控和控制功能;

*所有參量原位實(shí)時(shí)檢測(cè);

*操作裝配簡(jiǎn)單便捷;




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