薄膜生長(zhǎng)速率測(cè)試儀，采用無(wú)損的激光技術(shù)實(shí)時(shí)原位檢測(cè)薄膜沉積速率、薄膜厚度以及光學(xué)常量（n&k），可廣泛的應(yīng)用于金屬有機(jī)化學(xué)氣象沉積MOCVD、分子束外延MBE、濺射系統(tǒng)Sputtering和蒸發(fā)系統(tǒng)等薄膜沉積過(guò)程的實(shí)時(shí)原位監(jiān)控。

薄膜生長(zhǎng)速率測(cè)試儀

主要特點(diǎn)：

*實(shí)時(shí)薄膜沉積速率、薄膜厚度和光學(xué)常數(shù)（n&k）分析，同時(shí)標(biāo)準(zhǔn)偏差統(tǒng)計(jì)分析；

*自動(dòng)程序化校準(zhǔn)；

*實(shí)時(shí)反饋系統(tǒng)；

*程序控制，可實(shí)時(shí)多層薄膜沉積監(jiān)控和控制；

*多Wafer監(jiān)控功能；

*Wafer基底旋轉(zhuǎn)監(jiān)控和控制功能；

*所有參量原位實(shí)時(shí)檢測(cè)；

*操作裝配簡(jiǎn)單便捷；