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PECVD-等離子體增強化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)

2024-12-16

產(chǎn)      地:
孚光精儀代理進口
所在地區(qū):
上海上海市
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等離子體增強化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)是采用PECVD技術(shù)專業(yè)為介質(zhì)膜鍍膜設(shè)計的化學(xué)氣相沉積設(shè)備。
等離子體增強化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)通過優(yōu)化供氣系統(tǒng),改進了較小的反應(yīng)堆體積,可顯著提高工藝的均勻性和再現(xiàn)性,并減少泵送時間。

由于可以方便地訪問所有內(nèi)部組件,因此

等離子體增強化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)的日常維護變得更加容易。特殊的底電極設(shè)計,為PECVD提供了紅外高溫計精確的晶片加熱控制。
等離子體增強化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)等離子體產(chǎn)生采用帶自動匹配單元的平板式ICP源。晶圓放在加熱的工作臺電極上,在這里可以施加高達600W的RF(13,56 MHz)或LF(300÷500 kHz)偏置電壓。在ICP模式下,在加熱臺上使用低頻電勢,確保了在沉積過程中調(diào)節(jié)介質(zhì)膜張力的額外可能性。
等離子體增強化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)規(guī)格參數(shù)

工藝過程反應(yīng)器中的極限壓力:<5×10

-6Torr

一次性處理晶圓數(shù)量::7個@2'', 4個@3'', 1個×∅200mm, 1個@∅150mm 1個@∅100mm

ICP發(fā)生器最大功率:1200W @13.56MHz

離子束粒(離子能20~300eV): 可選配

襯底支架傾斜180度:  可選配

蝕刻不均性:+/-1% (從中心位置到邊緣,∅100mm)

過程:自動化把晶圓轉(zhuǎn)移到反應(yīng)器中。

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