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碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管通用技術(shù)規(guī)范
2021年01月13日 10:00:44
來源：化工儀器網(wǎng) 點(diǎn)擊量：4634
近日，北京第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟對(duì)外發(fā)布《碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管通用技術(shù)規(guī)范》征求意見稿，望相關(guān)部門提出寶貴意見。本文件自2021年1月1日開始實(shí)施。
【化工儀器網(wǎng) 政策標(biāo)準(zhǔn)】 近日，北京第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟對(duì)外發(fā)布《碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管通用技術(shù)規(guī)范》征求意見稿，望相關(guān)部門提出寶貴意見。本文件自2021年1月1日開始實(shí)施。
本標(biāo)準(zhǔn)引用了IEC 60747-1-1983 半導(dǎo)體器件 分立器件和集成電路 第 1 部分：總則(Semiconductor devices. Discrete devices - Part 1 : General)； IEC 60747-2-2000 半導(dǎo)體器件 分立器件與集成電路 第 2 部分：整流二極管 (Semiconductor devices - Discrete devices and integrated circuits - Part 2: Rectifier diodes)；IEC 60747-8-2010 半導(dǎo)體器件 分立器件 第8部分：場效應(yīng)晶體管(Semiconductor devices - Discrete devices - Part 8: Field-effect transistors)；JEITA EDR-4713-2017 化合物半導(dǎo)體可靠性實(shí)驗(yàn)方法準(zhǔn)則(Guidelines for Compound Power Semiconductor Device Reliability Test Method)等條款，詳細(xì)敘述了該技術(shù)的范圍、專用用語、文字符號(hào)、基礎(chǔ)額定值和特性、測試方法等方面的內(nèi)容。
額定值和特性有關(guān)的術(shù)語包括：關(guān)斷電壓的上升速率、反偏安全工作區(qū)、短路安全工作區(qū)、雪崩能量、重復(fù)雪崩能量、非重復(fù)雪崩能量、漏極泄漏電流、漏極-源極的擊穿電壓、(短路)輸入電容、(短路)反向傳輸電容、柵極內(nèi)阻、開關(guān)時(shí)間、開通能量、關(guān)斷能量、柵極電荷、柵極總電荷、柵極閾值電荷、平臺(tái)柵極電荷、柵極漏極電荷、輸出電容電荷、漏極-源極反向電壓、正向恢復(fù)電流、正向恢復(fù)時(shí)間、正向恢復(fù)電荷等。
上述術(shù)語中，標(biāo)準(zhǔn)術(shù)語有：漏極-源極反向電壓、MOSFET 正向恢復(fù)電流、MOSFET 的正向恢復(fù)峰值電流、MOSFET 的正向恢復(fù)時(shí)間、MOSFET 正向恢復(fù)電荷、反向漏電流、漏極峰值反向電流。
其次，文件中所述的文字符號(hào)表主要包括電壓、電流、開關(guān)能量、雪崩能量、電阻、柵極電荷等方面。具體信息請(qǐng)關(guān)注源文件：《碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管通用技術(shù)規(guī)范》
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