今日焦點(diǎn)
查看更多二手日本電子 掃描電鏡 IT-200交付現(xiàn)場(chǎng)
二手日本電子 掃描電鏡 IT-200交付現(xiàn)場(chǎng)
在2025年7月北京某新材料實(shí)驗(yàn)室工廠內(nèi)部實(shí)驗(yàn)室成功從我公司購(gòu)買日本電子掃描電鏡IT-200掃描電鏡,從現(xiàn)場(chǎng)交流技術(shù)和應(yīng)用測(cè)樣到簽訂合同交付儀器現(xiàn)場(chǎng)
只用了7個(gè)工作日時(shí)間,深圳心怡創(chuàng)科技效率的為客戶服務(wù)宗旨:以下是交付現(xiàn)場(chǎng):
儀器配置如下:日本電子掃描電鏡IT-200+電腦+操作軟件+樣品臺(tái)+操作臺(tái)+真空泵:
裝機(jī)地點(diǎn):北京
在公司陳工的裝機(jī)現(xiàn)場(chǎng),儀器性能再次確認(rèn)和樣品的分析,得到客戶很好的反饋和專業(yè)的給與。感謝客戶的認(rèn)可。
JSM-IT200性能參數(shù)
Main Performance on JSM-IT200A
Performance (一) 主要性能 | |
SEI Mode Resolution 二次電子圖像分辨率 | 3.0nm @ 30KV WD 8mm 8.0nm @ 3KV WD 6mm 15.0nm @ 1KV WD 6mm |
BEI Mode Resolution 背散射電子模式分辨率 | 4.0nm@30KV |
Magnification 放大倍數(shù) | ×5~×300,000(底片倍率) ×14~×839,724(顯示器倍率) |
Detectors 探測(cè)器 | Secondary Electron Detector 二次電子探測(cè)器 ★Semiconductor Backscattered Electron Detector(patent) 半導(dǎo)體型背散射電子探測(cè)器(技術(shù)) |
Image Mode 圖像模式 | Secondary Electron Image 二次電子圖像 REF Image REF像 Composition Image (Backscattered Electron Image) 成份像 (背散射電子圖像) Topography Image (Backscattered Electron Image) 形貌像 (背散射電子圖像) Shadow Image (Backscattered Electron Image) 立體像 (背散射電子圖像) |
Live Image Display 實(shí)時(shí)圖像顯示 | Dual Live Image Display, Split Live Image, 雙實(shí)時(shí)圖像同時(shí)顯示, 分割實(shí)時(shí)圖像顯示 |
Accelerating Voltage 加速電壓 | 0.5KV ~ 30KV |
Probe Current 探針束流 | 1pA ~ 0.3uA |
該廠商推薦產(chǎn)品
免責(zé)聲明
- 凡本網(wǎng)注明“來(lái)源:化工儀器網(wǎng)”的所有作品,均為浙江興旺寶明通網(wǎng)絡(luò)有限公司-化工儀器網(wǎng)合法擁有版權(quán)或有權(quán)使用的作品,未經(jīng)本網(wǎng)授權(quán)不得轉(zhuǎn)載、摘編或利用其他方式使用上述作品。已經(jīng)本網(wǎng)授權(quán)使用作品的,應(yīng)在授權(quán)范圍內(nèi)使用,并注明“來(lái)源:化工儀器網(wǎng)”。違反上述聲明者,本網(wǎng)將追究其相關(guān)法律責(zé)任。
- 本網(wǎng)轉(zhuǎn)載并注明自其他來(lái)源(非化工儀器網(wǎng))的作品,目的在于傳遞更多信息,并不代表本網(wǎng)贊同其觀點(diǎn)和對(duì)其真實(shí)性負(fù)責(zé),不承擔(dān)此類作品侵權(quán)行為的直接責(zé)任及連帶責(zé)任。其他媒體、網(wǎng)站或個(gè)人從本網(wǎng)轉(zhuǎn)載時(shí),必須保留本網(wǎng)注明的作品第一來(lái)源,并自負(fù)版權(quán)等法律責(zé)任。
- 如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)等問(wèn)題,請(qǐng)?jiān)谧髌钒l(fā)表之日起一周內(nèi)與本網(wǎng)聯(lián)系,否則視為放棄相關(guān)權(quán)利。