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等離子體去膠的影響因素2022/04/14: 干法式去膠又被稱為等離子去膠，其原理同等離子清洗類似，主要通過氧原子核和光刻膠在等離子體環(huán)境中發(fā)生反應(yīng)來去除光刻膠，由于光刻膠的基本成分是碳?xì)溆袡C(jī)物，在射頻或微波作用下，氧氣電離成氧原子并與光刻膠發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，生成一氧化碳，二氧化碳和水等，再通過泵被真空抽走，完成光刻膠的去除。溫度對(duì)去膠的影響就去膠速率和效果而言，溫度對(duì)去膠速率影響最大，溫度越高，反應(yīng)腔內(nèi)氧氣離子越活躍，化學(xué)反應(yīng)越劇烈，去膠效果也越好，但是過高的加熱溫度，可能對(duì)其基底本身造成損傷，影響基板成品率，并且射頻本身也會(huì)發(fā)熱，所以去膠加

高分子化合物的表面改性2022/03/04: 高分子化合物的表面改性實(shí)驗(yàn)背景：通過合適的等離子工藝處理，可以去除材料表面的污染物并提升材料表面能，以此增強(qiáng)材料的鍵合能力以及與其它材料的復(fù)合能力。本實(shí)驗(yàn)旨在通過等離子處理管材表面：(1)通過合適的等離子工藝處理，可以去除產(chǎn)品表面納米級(jí)的污染物，提供一個(gè)清潔的表面以利于后續(xù)工藝的進(jìn)行；(2)等離子處理能夠提升材料的表面能，高的表面能有利于提升材料與其它材料的結(jié)合；(3)等離子表面處理后，可以提升材料的表面微粗糙度，減小表面應(yīng)力。實(shí)驗(yàn)平臺(tái)與配置：PM等離子處理系統(tǒng)，配置水平電極01樣品信息與實(shí)驗(yàn)方

等離子清洗機(jī)處理樣品后的時(shí)效性2021/12/27: 等離子體表面處理時(shí)效性的討論等離子體改性后的材料表面微觀形貌及性能會(huì)隨著時(shí)間的推移發(fā)生衰減，具有一定的時(shí)效性。關(guān)于時(shí)效性的產(chǎn)生原理，認(rèn)為可以用兩個(gè)模型來解釋時(shí)效性產(chǎn)生的原因，分別是極性基團(tuán)翻轉(zhuǎn)模型和等離子體清理模型。前提是等離子體處理后在材料表面引入大量極性基團(tuán)，而這些極性基團(tuán)不穩(wěn)定性，隨時(shí)間的推移會(huì)使材料內(nèi)部翻轉(zhuǎn)，導(dǎo)致表面極基團(tuán)數(shù)減少，產(chǎn)生時(shí)效性；后者主要是針對(duì)表面沒有極性基團(tuán)的材料，等離子體處理主要是對(duì)材料表面進(jìn)行“去污”，從而起到提高表面能，改善材料表面性能，但隨著時(shí)間的推移，材料表面會(huì)被

微流控中關(guān)于PDMS關(guān)鍵工藝的討論2021/12/27: 微流控中關(guān)于PDMS關(guān)鍵工藝的討論氧等離子體對(duì)于PDMS的影響關(guān)于氧等離子體的作用等離子體表面處理是在等離子體狀態(tài)下，非聚合性氣體對(duì)高聚物材料表面作用的物理過程和化學(xué)過程，非聚合性氣體包括反應(yīng)性氣體和非反應(yīng)性氣體，它們對(duì)高聚物材料表面作用的機(jī)理也不相同。(1)反應(yīng)性氣體：氧、氮是等離子體中常用的反應(yīng)性氣體，高聚物材料在反應(yīng)性氣體的等離子體作用下，材料表面結(jié)構(gòu)發(fā)生變化，而且由于O2和N2的化學(xué)活性，可直接結(jié)合到大分子上，從而改變了高聚物材料的化學(xué)組分，如高聚物材料在含氧等離子體作用下發(fā)生氧化反應(yīng)：

關(guān)于等離子放電條件的討論2021/12/27: 關(guān)于等離子體放電研究隨著對(duì)等離子體表面處理設(shè)備的進(jìn)一步了解，我們也想嘗試對(duì)設(shè)備的工作原理和現(xiàn)象做一些介紹和演繹，希望能夠幫助到大家更好理解和掌握等離子技術(shù)。同時(shí)，對(duì)封閉式等離子體腔的氣體壓強(qiáng)、工作電壓、氣體成分之間的關(guān)系進(jìn)行了分析，探索了一種封閉腔體內(nèi)獲得高密度等離子體的方法01壓強(qiáng)變化對(duì)放電的影響從腔體內(nèi)壓強(qiáng)變化的角度來看，當(dāng)氣壓較低時(shí)，輝光放電光譜強(qiáng)度隨著腔體內(nèi)氣壓的增加而增加，當(dāng)真空腔內(nèi)氣壓增加到一定程度時(shí)，出現(xiàn)拐點(diǎn)，光譜強(qiáng)度增加緩慢并出現(xiàn)下降趨勢(shì)，在140Pa左右光譜強(qiáng)度最大02工藝氣體

等離子體與高分子材料的作用原理2021/12/27: 等離子體與高分子材料交互作用機(jī)理關(guān)于等離子體1低氣壓放電（輝光、電暈、高頻、微波）產(chǎn)生的電離氣體，其中蘊(yùn)含著豐富的活性粒子。處于非平衡態(tài)的低溫等離子體，可以引起種種物理和化學(xué)反應(yīng)。輝光放電或射頻放電產(chǎn)生的低溫等離子體，其兀冷10K,T,則略低二個(gè)數(shù)量級(jí)2在低溫等離子體條件下進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)，其反應(yīng)機(jī)理類似于光化學(xué)和高能輻射化學(xué)，但其反應(yīng)溫度較低，對(duì)熱敏感的高分子材料來說是非常適宜的。與高能輻射線相比，其作用在材料表面上能量的強(qiáng)度約高倍。但貫穿力卻要小得多，所以不會(huì)影響材料的本體性質(zhì)，又無需特殊的防護(hù)

連續(xù)微流控液滴法合成PLGA顆粒2021/12/09: 摘要本文主要內(nèi)容為高度單分散PLGA顆粒的合成方法，顆粒大小為10到45μm，采用Dolomite的藥物微囊化系統(tǒng)，該系統(tǒng)主要基于連續(xù)微流控合成法和Dolomite的三維流式聚焦液滴芯片。本文描述在一系列測(cè)試條件下實(shí)驗(yàn)情況，在這些條件下，連續(xù)相和分散相之間的相對(duì)流動(dòng)條件是不同的，產(chǎn)生的液滴大小和液滴速率被記錄下來，描述了液滴從液相到固相的收集和轉(zhuǎn)化過程的物理機(jī)理。PLGA顆粒的制造方法依賴于聚合物在溶劑中的溶解，以及微流控液滴的制備。該方法的主要優(yōu)點(diǎn)是得到的顆粒具有高的單分散性和批次間的一致性。

等離子清洗機(jī)及技術(shù)在LCD中的應(yīng)用2021/12/08: LCD行業(yè)中的清洗方式LCD的COG組裝過程，是在ITO玻璃上貼裝IC裸片，利用金球的變形與壓縮來使ITO玻璃上的引腳與IC芯片上的引腳導(dǎo)通。由于精細(xì)線路不斷發(fā)展的技術(shù)，目前已經(jīng)發(fā)展到生產(chǎn)Pitch為20μm、線條為10μm的產(chǎn)品。這些精細(xì)線路電子產(chǎn)品的生產(chǎn)與組裝，對(duì)ITO玻璃的表面清潔度要求非常高，要求產(chǎn)品的可焊接性能好、焊接牢固、不能有任何有機(jī)與無機(jī)的物質(zhì)殘留在ITO玻璃上來阻止ITO電極子與ICBUMP的導(dǎo)通性，因此，對(duì)ITO玻璃的清潔顯得非常重要。在目前的ITO玻璃清潔工藝中，大家都在嘗

AIM器官芯片產(chǎn)品選型指南2021/12/08: 3D細(xì)胞培養(yǎng)芯片一種簡(jiǎn)單易用的微流體芯片，用于多細(xì)胞的3D培養(yǎng)，采用三通道設(shè)計(jì)，側(cè)翼兩通道用于形成3D凝膠區(qū)域，每個(gè)芯片上可同時(shí)進(jìn)行3組實(shí)驗(yàn)，芯片采用單個(gè)無菌包裝，每盒包含25個(gè)芯片，市場(chǎng)售價(jià)￥8000.00，單個(gè)芯片是不對(duì)外出售的哦！技術(shù)參數(shù)1、顯微鏡載玻片樣式75mm*25mm2、兼容所有可聚合凝膠，例如膠原蛋白、纖維蛋白原、基質(zhì)膠等3、透氣性底板用于氣體的交換4、光學(xué)透明型，兼容相差顯微鏡、熒光顯微鏡和共聚焦顯微鏡5、支持單型或有機(jī)型共培養(yǎng)模式6、能夠控制3D凝膠區(qū)的間隙流動(dòng)7、能夠控制3

探究經(jīng)等離子處理后的PDMS實(shí)現(xiàn)不可逆鍵合的*工藝參數(shù)2021/12/08: 探究經(jīng)等離子處理后的PDMS實(shí)現(xiàn)不可逆鍵合的*工藝參數(shù)。工藝參數(shù)，因?yàn)椴煌镔|(zhì)表面硬度、活性條件等都可能不同，故對(duì)異質(zhì)的等離子清洗工藝參數(shù)也需要探究。等離子法影響不可逆鍵合的因素有許多，每種因素下具有多個(gè)水平，而且多個(gè)因素之間也可能會(huì)有交互式影響。因此在進(jìn)行PDMS同質(zhì)異質(zhì)不可逆鍵合試驗(yàn)之前，需要設(shè)計(jì)科學(xué)、合理并且高效的試驗(yàn)設(shè)計(jì)方案與方法，對(duì)探究PDMS同質(zhì)異質(zhì)不可逆鍵合的最佳工藝條件是十分必要的?！霸O(shè)計(jì)科學(xué)的試驗(yàn)方法在工藝優(yōu)化中，應(yīng)用最多的試驗(yàn)設(shè)計(jì)方法為正交設(shè)計(jì)。等離子處理法涉及的主要工藝參

基于PDMS-PMMA材料的微流控芯片等離子體鍵合工藝2021/12/08: 在PDMS-PMMA復(fù)合式芯片的制備過程中，最為關(guān)鍵的問題是芯片不同材質(zhì)間的封合，即鍵合工藝，也是微流控芯片技術(shù)的重要研究方向之一。01在PDMS-PMMA復(fù)合式芯片的制備過程中，最為關(guān)鍵的問題是芯片不同材質(zhì)間的封合，即鍵合工藝，也是微流控芯片技術(shù)的重要研究方向之一。目前用于PDMS-PMMA復(fù)合式芯片鍵合技術(shù)主要有黏結(jié)劑、等離子體技術(shù)和紫外臭氧光照改性法等。相較于其他鍵合方法，等離子體技術(shù)不僅在材料表面引入基團(tuán)，而且可實(shí)現(xiàn)在一定條件下快速高效直接鍵合的目的02研究人員在PMMA和PDMS上通過

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