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TOF-SIMS在聚合物薄膜和涂層的光譜分析2024/10/23: 飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜（TimeofFlightSecondaryIonMassSpectrometry，TOF-SIMS）是通過(guò)高能量的一次離子束轟擊樣品表面，使樣品表面的原子或原子團(tuán)吸收能量而從表面發(fā)生濺射產(chǎn)生二次粒子,這些帶電粒子經(jīng)過(guò)質(zhì)量分析器后就可以得到關(guān)于樣品表面信息的圖譜。SIMS用于在超高真空條件下分析固體樣品中元素、分子和同位素的分布和相對(duì)濃度，是zui靈敏的表面分析技術(shù)之一。SIMS可用于成像、光譜分析和深度剖面/三維分析。光譜分析模式可用于評(píng)估聚合物涂層的組成及其橫向均勻性，同

TOF-SIMS飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜儀-技術(shù)解讀2024/10/23: 什么是TOFSIMS?它可以應(yīng)用于哪些領(lǐng)域？能提供哪些信息？哪些樣品適用（哪些不適用）？在這一系列文章中，我們將解答所有這些問(wèn)題，以及更多探討。飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜法（ToFSIMS）是一種用于研究固體表面和薄膜的三維化學(xué)組成的表面分析技術(shù)。聚焦的一次離子束轟擊目標(biāo)表面，產(chǎn)生中性原子/分子、二次離子和電子。二次離子通過(guò)飛行時(shí)間質(zhì)譜儀進(jìn)行收集和分析。質(zhì)譜儀通過(guò)精確測(cè)量離子到達(dá)探測(cè)器所需的時(shí)間(即“飛行時(shí)間”)來(lái)測(cè)量離子的質(zhì)荷比(m/z)。通過(guò)掃描一次離子束在樣品表面的區(qū)域，可以逐像素形成表面的化學(xué)

二次離子質(zhì)譜儀不同質(zhì)量分析器的區(qū)別2024/09/13: 二次離子質(zhì)譜法是一種高效的分析技術(shù)，利用化合物的離子化過(guò)程及其質(zhì)量分析，以確定待測(cè)化合物的分子量、分子式和結(jié)構(gòu)特征。質(zhì)譜儀作為該方法的重要組成部分，通過(guò)將離子的質(zhì)量進(jìn)行有效分離，并依據(jù)電荷與質(zhì)量比率輸出至檢測(cè)器，在此被探測(cè)并轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(hào)。簡(jiǎn)介在質(zhì)譜分析中，有三種常見(jiàn)的質(zhì)譜儀離子分析器可用于離子的分離。四極桿質(zhì)譜儀飛行時(shí)間質(zhì)譜儀磁扇形質(zhì)量分析儀四極桿質(zhì)譜儀直流偏壓會(huì)使所有帶電分子加速并遠(yuǎn)離中心線，其速度與它們的電荷與質(zhì)量比成正比。當(dāng)這些分子的軌跡偏離過(guò)大時(shí)，它們將撞擊金屬棒或容器的側(cè)壁并被吸收。

TOF-SIMS飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜儀離子源的選擇2024/08/29: TOF-SIMS（TimeofFlightSecondaryIonMassSpectrometry）飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜儀的基本組件包括一次離子束，和用于樣品深度剖析的離子束。主離子束被脈沖化以供飛行時(shí)間質(zhì)譜儀進(jìn)行分析使用。鉍基液態(tài)金屬離子槍（LMIGs）是商業(yè)ToF-SIMS中常用的離子源。與金等其他LMIG源相比，鉍基離子源可以在較低的溫度下工作，并能產(chǎn)生用于分析的離子簇（例如Bi3+）。這些離子束可以緊密聚焦，以實(shí)現(xiàn)高空間分辨率(亞表面分析可通過(guò)在雙束模式操作來(lái)實(shí)現(xiàn)，包括交替使用用于分析的

使用TOF-SIMS進(jìn)行材料研究2024/08/13: 靜態(tài)SIMS是一種非常靈敏的表面分析技術(shù)，能在只消耗樣品單層一小部分的情況下，獲得詳細(xì)的質(zhì)譜圖。被分析的分子來(lái)自固體表面前幾層，這對(duì)于探討材料關(guān)鍵區(qū)域例如附著力或催化等性質(zhì)至關(guān)重要。Kore公司的TOF-SIMSSurfaceSeer系列產(chǎn)品為科研和工業(yè)領(lǐng)域提供了高性價(jià)比的表面分析解決方案。以下數(shù)據(jù)展示了SurfaceSeer儀器在材料研究和分析方面的一些優(yōu)勢(shì)。實(shí)驗(yàn)質(zhì)量分辨率和準(zhǔn)確性圖1.污染鋁接頭近來(lái)，儀器的質(zhì)量分辨率和準(zhǔn)確度均已經(jīng)提高到2000（M/ΔM）以上。上圖展示了從一個(gè)污染鋁探針采集

TOF-SIMS飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜的技術(shù)能力2024/08/06: 飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜（TOF-SIMS）是一種表面分析技術(shù)，它將脈沖一次離子束聚焦到樣品表面，在濺射過(guò)程中產(chǎn)生二次離子。分析這些二次離子可提供有關(guān)樣品表面的分子、無(wú)機(jī)和元素種類的信息。例如，如果表面吸附了有機(jī)污染物（如油），TOF-SIMS將揭示這些信息，而其他技術(shù)則難以實(shí)現(xiàn)，特別是在污染物含量極低的情況下。由于TOF-SIMS是一種測(cè)量技術(shù)，因此通?？梢詸z測(cè)到元素周期表中的所有元素，包括H。此外，這種分析可以提供質(zhì)譜信息;樣品上XY維度的圖像信息;以及Z方向的深度剖面信息到樣品中。工作原理飛行

揭秘遠(yuǎn)程微波PECVD系統(tǒng)簡(jiǎn)介2022/08/31: Nano-Master的遠(yuǎn)程微波等離子體化學(xué)氣相沉積（PECVD）系統(tǒng)應(yīng)用范圍廣泛，包含：基片或粉體的等離子誘導(dǎo)表面改性等離子清洗粉體或顆粒表面等離子聚合SiO2,Si3N4或DLC及其他薄膜CNT和石墨烯的選擇性生長(zhǎng)單晶或多晶金剛石生長(zhǎng)微波模塊：NANO-MASTER高質(zhì)量長(zhǎng)壽命遠(yuǎn)程微波源，頻率為2.45GH，微波發(fā)射功率可以自主調(diào)節(jié)，微波反射功率可通過(guò)調(diào)節(jié)降低至發(fā)射功率的千分之一以內(nèi)。遠(yuǎn)程微波源，可實(shí)現(xiàn)無(wú)損傷缺陷的沉積或生長(zhǎng)。設(shè)備腔體：水冷側(cè)壁，確保在高溫工藝下腔體外表面溫度控制在60℃內(nèi)；

揭秘微波等離子去膠機(jī)2022/08/23: 主要用途：MEMS壓力傳感器加工工藝中光刻膠批量處理；去除有機(jī)或無(wú)機(jī)物，而無(wú)殘留；去膠渣、深刻蝕應(yīng)用；半導(dǎo)體晶圓制造中光刻膠及SU8工藝；平板顯示生產(chǎn)中等離子體預(yù)處理；太陽(yáng)能電池生產(chǎn)中邊緣絕緣和制絨；先進(jìn)晶片(芯片)封裝中的襯底清潔和預(yù)處理；工作原理介紹：為了產(chǎn)生等離子，系統(tǒng)使用遠(yuǎn)程微波源。氧在真空環(huán)境下受高頻及微波能量作用，電離產(chǎn)生具有強(qiáng)氧化能力的游離態(tài)氧原子，它在高頻電壓作用下與光刻膠薄膜反應(yīng)，反應(yīng)后生成的CO2和H2O通過(guò)真空系統(tǒng)被抽走。CF4氣體可以達(dá)到更快速的去膠速率，尤其對(duì)于難以去除

帶你一文領(lǐng)略磁控濺射2022/07/27: 主要功能：主要用于半導(dǎo)體應(yīng)用，及各種需要進(jìn)行微納工藝濺射鍍膜的情形?？梢杂糜诮饘俨牧希ń?、銀、銅、鎳、鉻等）的直流濺射、直流共濺射，絕緣材料（如陶瓷等）的射頻濺射，以及反應(yīng)濺射能力?；芍С止杵?，氧化硅片，玻璃片，以及對(duì)溫度敏感的有機(jī)柔性基片等。工作原理：通過(guò)分子泵和機(jī)械泵組成的兩級(jí)真空泵對(duì)不銹鋼腔體抽真空，當(dāng)廣域真空計(jì)顯示的讀數(shù)達(dá)到10-6Torr量級(jí)或更高的真空時(shí)，主系統(tǒng)的控制軟件通過(guò)控制質(zhì)量流量計(jì)精確控制Ar氣體(如需要濺射氧化物薄膜，可增加O2)，此時(shí)可以設(shè)定工藝所要求的真空（一般在0

我們的優(yōu)勢(shì)｜離子束刻蝕2020/06/16: 我們的優(yōu)勢(shì)｜離子束刻蝕NANO-MASTER的離子束刻蝕系統(tǒng)有很強(qiáng)的適應(yīng)性，可以根據(jù)不同的應(yīng)用建立不同的結(jié)構(gòu)，不同的樣品臺(tái)和離子源配置可實(shí)現(xiàn)不同的應(yīng)用范圍。系統(tǒng)中的樣品臺(tái)可實(shí)現(xiàn)正負(fù)90°傾斜、旋轉(zhuǎn)、水冷和背氦冷卻。NM成熟的技術(shù)可控制基片溫度在50℃以內(nèi)。通過(guò)傾斜和旋轉(zhuǎn)，深溝可切成斜角，通過(guò)控制側(cè)壁輪廓和徑向可提高均勻性，不同的構(gòu)造不同的應(yīng)用可選擇不同的選配項(xiàng)，也可增加濺射實(shí)現(xiàn)刻蝕之后的涂覆保護(hù)。應(yīng)用十分廣泛。NANO-MASTER的離子束刻蝕在行業(yè)中非常有競(jìng)爭(zhēng)力，它憑什么可以這樣脫穎而出呢？1

我們的優(yōu)勢(shì)｜NRE-4000型RIE-HCP系統(tǒng)2020/06/12: 我們的優(yōu)勢(shì)｜NRE-4000型RIE-HCP系統(tǒng)NANO-MASTERNRE-4000型RIE-HCP系統(tǒng)，用于高速刻蝕硅、SiO2和Si3N4基片，通過(guò)配套HCP高密度中空陰極等離子源，系統(tǒng)可以支持RIE和RIE-HCP應(yīng)用，提供廣泛的應(yīng)用。眾多的優(yōu)勢(shì)配置，使得NRE-4000型系統(tǒng)具有許多優(yōu)勢(shì)：?超高的薄膜均勻性?良好的粘附力?超凈的沉積（高真空支持）?出色的工藝控制?高度的可重復(fù)性（計(jì)算機(jī)全自動(dòng)工藝控制）?易使用（可直接調(diào)用編好的工藝程序）?運(yùn)行可靠（所有核心組件均帶有保護(hù)）?低維護(hù)（完整

我們的優(yōu)勢(shì)｜NLD4000型原子層沉積2020/06/12: NANO-MASTERNLD-4000型等離子增強(qiáng)原子層沉積系統(tǒng)可以提供高品質(zhì)的薄膜沉積，通過(guò)配套ICP離子源系統(tǒng)可以支持PEALD和T-ALD等廣泛應(yīng)用。眾多的優(yōu)勢(shì)配置，使得NLD-4000型系統(tǒng)具有許多優(yōu)勢(shì)：√超高的薄膜均勻性√良好的粘附力√超凈的沉積（高真空支持）√出色的工藝控制√高度的可重復(fù)性（計(jì)算機(jī)全自動(dòng)工藝控制）√易使用（可直接調(diào)用編好的工藝程序）√運(yùn)行可靠（所有核心組件均帶有保護(hù)）√低維護(hù)（完整的安全互鎖）√高、低溫基片樣品臺(tái)√小的占地面積26”x44”√全自動(dòng)工藝控制客戶案例參數(shù)

我們的優(yōu)勢(shì)｜磁控濺射2019/08/26: NANO-MASTER設(shè)計(jì)制造的磁控濺射系統(tǒng)在行業(yè)內(nèi)有*的競(jìng)爭(zhēng)力，設(shè)備擁有以下突出的優(yōu)勢(shì)：1.計(jì)算機(jī)全自動(dòng)控制的自動(dòng)上下片，上面和對(duì)準(zhǔn)的過(guò)程全部通過(guò)計(jì)算機(jī)控制，無(wú)需人工操作，并且不會(huì)損傷系統(tǒng)；2.全自動(dòng)膜厚監(jiān)控，客戶可以在軟件設(shè)定目標(biāo)膜厚，整個(gè)工藝階段可以實(shí)現(xiàn)無(wú)人值守，無(wú)需人工介入，薄膜膜厚具有高度的重復(fù)性；3.出色的膜厚均勻度，對(duì)于6"片范圍內(nèi)，濺射金屬膜時(shí)，可以達(dá)到優(yōu)于+/-1%的均勻度；4.系統(tǒng)可以支持濺射前的等離子預(yù)清洗功能，提供優(yōu)異的膜基層性能；5.系統(tǒng)支持預(yù)濺射，可以去除靶材的污染物

淋浴頭氣流的平面ICP離子源應(yīng)用于ALD系統(tǒng)2017/09/14: 繼NANO-MASTER*技術(shù)的帶淋浴頭氣流分布的平面ICP離子源應(yīng)用于NANO-MASTER的刻蝕系統(tǒng)，ICPECVD沉積系統(tǒng)，PA-MOCVD生長(zhǎng)系統(tǒng)之后，該ICP離子源順利應(yīng)用于ALD系統(tǒng)。由于該型技術(shù)設(shè)計(jì)的ICP源為平面設(shè)計(jì)的遠(yuǎn)程等離子源，可以在更低電源下達(dá)到更高的離子密度，具有電子溫度低、離子密度高、腔體空間占比低等優(yōu)勢(shì)，確保了該ALD系統(tǒng)具有薄膜無(wú)損傷、生長(zhǎng)速度快、脈沖周期短（沉積效率可以達(dá)到兩倍以上）的先進(jìn)性能。此外，可以實(shí)現(xiàn)低溫（100度以內(nèi)）的薄膜生長(zhǎng)。

進(jìn)口雙模式刻蝕機(jī)的主要特點(diǎn)2016/03/29: 進(jìn)口雙模式刻蝕機(jī)全自動(dòng)上下載片，帶低溫晶圓片冷卻和偏壓樣品臺(tái)的深硅刻蝕系統(tǒng)，帶8"ICP源。系統(tǒng)可以配套500L/S抽速的渦輪分子泵，可以使得工藝壓力達(dá)到幾mTorr的水平。在低溫刻蝕的技術(shù)下，系統(tǒng)可以達(dá)到硅片的高深寬比刻蝕。進(jìn)口雙模式刻蝕機(jī)主要特點(diǎn)：基于PC控制的緊湊型立柜式百級(jí)DRIE深硅刻蝕系統(tǒng)，擁有高縱橫比的刻蝕能力；配套LabView軟件，菜單驅(qū)動(dòng)，自動(dòng)記錄數(shù)據(jù)；觸摸屏監(jiān)控；全自動(dòng)系統(tǒng)，帶安全聯(lián)鎖；四級(jí)權(quán)限，帶密碼保護(hù)；自動(dòng)上下載片；帶LoadLock預(yù)真空鎖；He氣背面冷卻，-60攝

全自動(dòng)磁控濺射系統(tǒng)技術(shù)分類2016/01/23: 全自動(dòng)磁控濺射系統(tǒng)是物理氣相沉積（PhysicalVaporDeposition，PVD）的一種。一般的濺射法可被用于制備金屬、半導(dǎo)體、絕緣體等多材料，且具有設(shè)備簡(jiǎn)單、易于控制、鍍膜面積大和附著力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)，而上世紀(jì)70年代發(fā)展起來(lái)的全自動(dòng)磁控濺射系統(tǒng)法更是實(shí)現(xiàn)了高速、低溫、低損傷。因?yàn)槭窃诘蜌鈮合逻M(jìn)行高速濺射，必須有效地提高氣體的離化率。全自動(dòng)磁控濺射系統(tǒng)通過(guò)在靶陰極表面引入磁場(chǎng)，利用磁場(chǎng)對(duì)帶電粒子的約束來(lái)提高等離子體密度以增加濺射率。全自動(dòng)磁控濺射系統(tǒng)技術(shù)分類直流濺射法要求靶材能夠?qū)碾x子轟擊

光學(xué)元件鍍膜機(jī)先進(jìn)的技術(shù)介紹2015/12/29: 鍍膜是用物理或化學(xué)的方法在材料表面鍍上一層透明的電解質(zhì)膜，或鍍一層金屬膜，目的是改變材料表面的反射和透射特性。在可見(jiàn)光和紅外線波段范圍內(nèi)，大多數(shù)金屬的反射率都可達(dá)到78%~98%，但不可高于98%。無(wú)論是對(duì)于CO2激光，采用銅、鉬、硅、鍺等來(lái)制作反射鏡，采用鍺、砷化鎵、硒化鋅作為輸出窗口和透射光學(xué)元件材料，還是對(duì)于YAG激光采用普通光學(xué)玻璃作為反射鏡、輸出鏡和透射光學(xué)元件材料，都不能達(dá)到全反射鏡的99%以上要求。不同應(yīng)用時(shí)輸出鏡有不同透過(guò)率的要求，因此必須采用光學(xué)鍍膜方法。對(duì)于CO2激光燈中紅外

干法刻蝕技術(shù)2015/08/28: 干法刻蝕技術(shù)*，在芯片制造的過(guò)程中，硅片表面圖形的形成主要依靠光刻和刻蝕兩大模塊。光刻的目的是在硅片表面形成所需的光刻膠圖形，刻蝕則緊接其后地將光刻膠的圖形轉(zhuǎn)移到襯底或襯底上的薄膜層上。隨著特征尺寸要求越來(lái)越小，對(duì)光刻和刻蝕的要求也越來(lái)越高。通常一個(gè)刻蝕工藝包含以下特性：良好的刻蝕速率均勻性(Uniformity)，不僅僅是片內(nèi)的均勻性(WithinWafer)，還包括片與片之間(WafertoWafer)，批次與批次之間(LottoLot)。高選擇比(HighSelectivity)，被刻蝕材

微加工：剝離2015/08/06: Lift-offprocessinmicrostructuringtechnologyisamethodofcreatingstructures(patterning)ofatargetmaterialonthesurfaceofasubstrate(ex.wafer)usingasacrificialmaterial(ex.Photoresist).Itisanadditivetechniqueasopposedtomoretraditionalsubtractingtechniquelike

微加工：光刻2015/08/06: Lithographyisthestepthatallowsthedefinitionofthepatternonthesubstrate:thankstoapolymerresist,ａndusingaradiationsexposure,itfabricatesamaskabovethematerialtobepatterned.Itisacriticalsteptogettheshapesofthemicrostructures,eitherinMEMSormicroelectronics

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