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LT-GaAs低溫砷化鎵基片外延生長定制

     GaAs砷化鎵是Ⅲ-Ⅴ族元素化合物，黑灰色固體，熔點(diǎn)1238℃。它在600℃以下能在空氣中穩(wěn)定存在，并且不為非氧化性的酸侵蝕。砷化鎵可作半導(dǎo)體材料，其電子遷移率高、介電常數(shù)小，能引入深能級(jí)雜質(zhì)、電子有效質(zhì)量小，能帶結(jié)構(gòu)特殊，可作外延片。

1、半導(dǎo)體光電子器件結(jié)構(gòu)生長

     我們可在GaAs砷化鎵基底上生長高質(zhì)量AlAs、GaAs、InAs、AlGaAs、AlInAs和InGaAs材料外延薄膜層，適用于不同應(yīng)用。

2、低溫砷化鎵

     對(duì)于某些應(yīng)用需要快速響應(yīng)裝置，例如光學(xué)探測器、可飽和吸收器 或光電導(dǎo)天線。我們提供低溫外延生長器件，響應(yīng)時(shí)間短至1  ps。

     我們可提供以下在GaAs襯底上生長的一個(gè)或兩個(gè)單層的低溫砷化鎵。

低溫砷化鎵基片外延生長定制參數(shù)如下：

• 砷化鎵晶片直徑：2" 或4"

• 最大薄膜疊層厚度：5 μm

規(guī)格：

• LT-GaAs-50.8：2"（50.8 mm）LT-GaAs晶片

• LT-GaAs-100：4"（100 mm）LT-GaAs晶片

• LT-InGaAs-100：4"（100  mm）LT-InGaAs晶圓片

• LT-GaA-100-C：具有定制金屬結(jié)構(gòu)的4"（100  mm）LT-GaAs晶圓片