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當前位置：泰州巨納新能源有限公司>>二維材料>>碲化物晶體>> ZrGeTe4
產(chǎn)品型號
品 牌2D Semiconductors
廠商性質(zhì)生產(chǎn)商
所 在 地泰州市
更新時間：2024-06-03 12:42:10瀏覽次數(shù)：1314次
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| 供貨周期 | 現(xiàn)貨 | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 環(huán)保,化工,能源,綜合 |
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ZrGeTe4 crystal is a layered anisotropic semiconductor with the predicted bandgap of 0.4 eV. While it is layered and can be exfoliated down to few- and monolayers, their properties remain largely unknown. Our ZrGeTe4 vdW crystals are synthesized using flux zone growth technique at unparalleled 99.9999% confirmed purity rates. Crystals are cut in c-axis and thus are ready to exfoliate onto desired substrates.
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